סמסונג, שמכנה את הגרסה שלה של זיכרון NAND מוערם V-NAND (ה-V הוא עבור אנכית, כמובן), הכריזה על שבב 256 Gbit, 48 שכבות, 3 סיביות לתא משלה. בעוד שהחברה הכריזה על שבב 48 שכבות לפני מספר שבועות, הקיבולת שלו הייתה "רק" 128 Gbit. השבב החדש לוקח את צפיפות האחסון לשלב הבא.
סרטונים מומלצים
"הפלאש החדש של סמסונג 256 Gb 3D V-NAND מכפיל את הצפיפות של שבבי פלאש 128 Gb NAND רגילים. בנוסף לאפשר אחסון זיכרון של 32 גיגה-בייט (256 גיגה-ביט) על קובייה אחת, השבב החדש גם יכפיל בקלות את קיבולת של מערכי ה-SSD הקיימים של סמסונג, ומספקות פתרון אידיאלי עבור כונני SSD מרובים טרה-בייט", אמרה סמסונג בעיתונות שלה. לְשַׁחְרֵר.
להגדלת צפיפות הנתונים יש השפעה פשוטה, ברורה וחשובה; הוא מאפשר יצירת כוננים המאחסנים יותר בפחות מקום. כאשר סמסונג בנתה את שבב 48 השכבות המקורי שלה, למשל, היא המשיכה עם שחרור כונני Samsung 850 Evo ו-Pro חדשים בנפח 2TB.
כעת, כשסמסונג פרסמה את ההכרזה הזו, מתחיל המירוץ כדי להגיע להליכי ייצור. SanDisk ו-Toshiba אמרו שלא נראה מוצרים עם השבב של השותף עד 2016, אז זה משאיר קצת זמן להביא חומרה חדשה לשוק. עם זאת, סמסונג לא הכריזה כרגע על כוננים חדשים לא לשוק הצרכני או לשוק הארגוני, אז נעשה זאת צריך לחכות ולראות איזה יצרן יהיה הראשון להמיר את הטכנולוגיה הזו למוצר שמשתמשים יכולים לקנות.
המלצות עורכים
- ה-SmartSSD מהדור השני של סמסונג יכול לעבד נתונים ישירות על הכונן
שדרג את אורח החיים שלךמגמות דיגיטליות עוזרות לקוראים לעקוב אחר עולם הטכנולוגיה המהיר עם כל החדשות האחרונות, ביקורות מהנות על מוצרים, מאמרי מערכת מעוררי תובנות והצצות מיוחדות במינן.
