Il processore è basato sul processo FinFET da 10 nanometri. In parole povere, ciò significa sostanzialmente che è più compatto dell’attuale Snapdragon 821 top di gamma, che è costruito con tecnologia a 14 nm. Qualcomm ha affermato che la nuova architettura racchiude il 30% di parti in più nello stesso spazio e ha un ingombro significativamente più ridotto, miglioramenti che, a suo avviso, consentiranno "più snelli [smartphone] design” e “batterie più grandi”. Questi e altri miglioramenti aiutano a fornire prestazioni migliori del 27%, una riduzione del 40% nel consumo di energia e guadagni “significativi” nella durata della batteria.
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L’altro grande progresso del processore riguarda la ricarica rapida della batteria. Attualmente, lo standard Quick Charge 3.0 di Qualcomm raggiunge l'80% della capacità dopo 15 minuti di ricarica, ma il la prossima iterazione, Quick Charge 4.0, presenta un miglioramento del 20% in velocità e un miglioramento del 30% in energia efficienza. Ciò si traduce in fino a cinque ore di durata extra della batteria in soli cinque minuti di ricarica, o al 50% della capacità della batteria in 15 minuti.
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Qualcomm ha affermato che la tecnologia di ricarica rapida è completamente compatibile sia con l'USB Type-C che con l'USB Power Delivery specifiche ratificate dall'USB-Implementers Forum, l'ente industriale che standardizza USB tecnologie. Le precedenti implementazioni della tecnologia di Qualcomm, incluse alcune incluse nello Snapdragon 821, si scontrano delle specifiche manipolando la tensione per ridurre i tempi di ricarica e impiegando soluzioni alternative per impostare la ricarica velocità. Qualcomm ha affermato che Quick Charge 4.0, al contrario, è pienamente conforme.
È anche in linea con il documento di compatibilità di Google per il futuro Androide dispositivi, una bozza di cui la società ha pubblicato questa settimana. In esso, il colosso della ricerca richiedeva dispositivi USB Type-C che “supportassero la piena interoperabilità con i caricabatterie Type-C standard” – un requisito che i precedenti chip Snapdragon di Qualcomm non soddisfacevano.
Il nuovo processore racchiude anche numerose protezioni contro il catastrofico accumulo di calore mostrato dal Galaxy Note 7 di Samsung. Uno, l’ultima generazione del software INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltaggio) dell’azienda, monitor trasferimento di potenza in tempo reale per garantire che non superi le temperature operative sicure. Quattro livelli di protezione termica, alcuni sul telaio, altri sulla batteria e diversi all'interno del chip stesso, rilevano il tipo e la qualità dei cavi di ricarica collegati. Le nuove funzionalità prolungano la longevità della batteria: Qualcomm ha affermato che manterrà almeno l'80% della sua capacità originale dopo 500 cicli di ricarica.
L'azienda sta collaborando con il colosso dell'elettronica Samsung per costruire i processori, la cui spedizione dovrebbe iniziare nella prima metà del 2017. “Siamo lieti di avere l'opportunità di lavorare a stretto contatto con Qualcomm Technologies nella produzione dello Snapdragon 835 utilizzando il nostro Tecnologia FinFET da 10 nm", ha dichiarato Jong Shik Yoon, vicepresidente esecutivo di Samsung e capo della sua attività di fonderia, in una conferenza stampa pubblicazione. “Questa collaborazione rappresenta una pietra miliare importante per la nostra attività di fonderia in quanto significa fiducia nella tecnologia leader di Samsung per la lavorazione dei chip”.
Puoi aspettarti che inizi ad apparire sui nuovi smartphone nei prossimi mesi.
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