Samsung, som kaller sin versjon av stablet NAND-minne V-NAND (V er selvfølgelig for vertikal), har annonsert sin egen 256 Gbit, 48-lags, 3-bits-per-celle-brikke. Mens selskapet annonserte en 48-lags brikke for flere uker siden, var kapasiteten "bare" 128 Gbit. Den nye brikken tar lagringstettheten til neste nivå.
Anbefalte videoer
«Samsungs nye 256 Gb 3D V-NAND-blits dobler tettheten til konvensjonelle 128 Gb NAND-blitsbrikker. I tillegg til å muliggjøre 32 gigabyte (256 gigabit) med minnelagring på en enkelt dyse, vil den nye brikken også enkelt doble kapasiteten til Samsungs eksisterende SSD-serier, og gir en ideell løsning for multi-terabyte SSD-er,” sa Samsung i sin presse utgivelse.
Økende datatetthet har en enkel, åpenbar og viktig innvirkning; det gjør det mulig å lage stasjoner som lagrer mer på mindre plass. Da Samsung bygget sin originale 48-lags chip, for eksempel, fulgte den opp med utgivelsen av nye 2TB Samsung 850 Evo og Pro-stasjoner.
Nå som Samsung har kommet med denne kunngjøringen, er kampen i gang for å nå produksjonsstasjoner. SanDisk og Toshiba sa at vi ikke ville se produkter med partnerens chip før i 2016, så det gir litt tid til å bringe ny maskinvare til markedet. Når det er sagt, har Samsung foreløpig ikke annonsert noen nye stasjoner for verken forbruker- eller bedriftsmarkedet, så det gjør vi må vente og se hvilken produsent som blir den første til å konvertere denne teknologien til et produkt som brukerne kan kjøpe.
Redaktørenes anbefalinger
- Samsungs 2. generasjons SmartSSD kan behandle data rett på stasjonen
Oppgrader livsstilen dinDigitale trender hjelper leserne å følge med på den fartsfylte teknologiverdenen med alle de siste nyhetene, morsomme produktanmeldelser, innsiktsfulle redaksjoner og unike sniktitter.
