इंटेल के पास 3डी NAND में समाधान हो सकता है, जो माइक्रोन के साथ उसके संयुक्त उद्यम से पैदा हुई तकनीक है। वैचारिक रूप से, विचार सरल है. मेमोरी चिप्स को एक ही स्तर पर रखने के बजाय इंटेल और माइक्रोन ने उन्हें 32 परतों तक रखना सीख लिया है, एक ऐसा अभ्यास जो एक एमएलसी फ्लैश डाई में 32 जीबी तक स्टोरेज और एक टीएलसी डाई में 48 जीबी तक स्टोरेज भरना संभव बनाता है।
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ड्राइव पहले ही प्रोटोटाइप चरण तक पहुँच चुके हैं; वरिष्ठ वीपी रॉब क्रूक ने 20 नवंबर को आयोजित एक निवेशक वेबकास्ट के दौरान कहा कि वह 3डी नंद के साथ निर्मित ड्राइव से प्रेजेंटेशन चला रहे थे। जैसा कि कहा गया है, ड्राइव कम से कम 2015 के मध्य तक खरीद के लिए उपलब्ध नहीं होगी और शुरुआत में बहुत महंगी हो सकती है। पहली ड्राइव में संभवतः कई टेराबाइट्स की सीमा की क्षमता होगी और उद्यम खरीदारों पर लक्षित होगी।
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हालांकि, लंबी अवधि में, यह तकनीक कीमतों को कम कर सकती है और एक से चार टेराबाइट स्टोरेज वाले एसएसडी को उपभोक्ताओं के लिए अधिक किफायती बना सकती है। इसका उपयोग भौतिक रूप से छोटी ड्राइव बनाने के लिए भी किया जा सकता है, जो लैपटॉप और टैबलेट निर्माताओं के लिए हमेशा एक वरदान है।
इंटेल और माइक्रोन इस तकनीक की खोज करने वाले एकमात्र खिलाड़ी नहीं हैं। सैमसंग में 32-लेयर V-NAND है यह प्रति एमएलसी सेल 10 गीगाबाइट डेटा तक पैक कर सकता है और पहले से ही खुदरा ड्राइव में काम करने के लिए तकनीक डाल चुका है। हालाँकि यह दृष्टिकोण इंटेल की तकनीक की तरह भंडारण-सघन नहीं है, सैमसंग का मानना है कि प्रौद्योगिकी का अगला संस्करण 2015 के अंत में उपलब्ध होगा, जो इसे इंटेल के 3D NAND के साथ जोड़ता है। जो भी बेहतर साबित हो, उपभोक्ताओं के लिए कहानी वही है; उच्च क्षमता, कम कीमतें।
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