Selon Mark Bohr, chercheur principal, Intel prévoit de franchir la barrière des 14 nm pour atteindre les 10 nm d'ici 2016, et de continuer à avancer directement vers les 7 nm environ deux ans plus tard.
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Ces prédictions font suite à certaines faux pas très médiatisés que l'entreprise s'est engagée sur la voie d'atteindre la limite du 14 nm: « Je pense que nous avons peut-être sous-estimé le taux d'apprentissage – lorsque vous disposez d'une technologie cela ajoute beaucoup plus de masques, comme l'a fait 14[nm], il faut plus de temps pour exécuter des expériences dans l'usine et obtenir des informations, comme nous le décrivons », a déclaré Bohr.
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Le défi auquel l'entreprise a été confrontée au cours des derniers cycles de puces a été de trouver un moyen de pousser le limites théoriques de ce dont le silicium est capable, sans passer à de nouveaux matériaux comme le graphène ou silicène. Avec de nouvelles techniques appliquées à la lumière utilisée pour graver les transistors dans le silicium, Intel estime que les problèmes rencontrés avec le 14 nm La construction de Broadwell a été surmontée et les leçons apprises se traduiront par un taux de production plus fluide pour les constructions de 10 nm et 7 nm dans le futur. avenir.
Bohr a déclaré aux médias lors de sa conférence téléphonique que l'équipe de développement d'Intel pour le 10 nm fonctionnait 50 % plus vite. que Broadwell, ce qui signifie qu'il devrait être sur la bonne voie pour atteindre l'objectif de 7 nm sans aucun problème supplémentaire à partir de maintenant dehors.
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