Según Mark Bohr, miembro senior, Intel planea romper la barrera de los 14 nm hacia los 10 nm en algún momento de 2016, y seguir avanzando directamente hacia los 7 nm unos dos años después.
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Estas predicciones vienen inmediatamente después de algunas errores bien publicitados que la compañía tomó en su camino hacia alcanzar el límite de los 14 nm, "Creo que es posible que hayamos subestimado la tasa de aprendizaje, cuando tienes una tecnología Eso agrega muchas más máscaras, como lo hizo 14[nm], lleva más tiempo ejecutar experimentos en la fábrica y obtener información, tal como la describimos”, dijo Bohr.
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El desafío al que se ha enfrentado la empresa en los últimos ciclos de chips ha sido intentar encontrar una manera de impulsar el límites teóricos de lo que el silicio es capaz de hacer, sin pasar a nuevos materiales como el grafeno o siliceno. Con nuevas técnicas aplicadas a la luz que utiliza para grabar transistores en silicio, Intel cree que los problemas que ha encontrado con los 14 nm Se ha superado la construcción de Broadwell y las lecciones aprendidas allí se traducirán en una tasa de producción más fluida para las construcciones de 10 nm y 7 nm en el futuro. futuro.
Bohr dijo a los medios de comunicación en su conferencia telefónica que el equipo de desarrollo de Intel para 10 nm está funcionando un 50 por ciento más rápido. que Broadwell, lo que significa que debería estar en camino de alcanzar el objetivo de 7 nm sin ningún contratiempo adicional de ahora en adelante. afuera.
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