Mientras Intel se jacta de su próxima etapa de procesadores de 10 nm en el horizonte, los hallazgos de Cornell miden solo 3 nm de ancho, saltando un enorme abismo en el mercado ultradelgado que podría tener el potencial de revolucionar la próxima generación de ultradelgados dispositivos.
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El gran avance es todo gracias a los chips construidos con dicalcogenuro de metal de transición, o TMD. TMD es un compuesto que los técnicos conocen desde hace años, pero que recientemente se ha convertido en el centro de atención a medida que se comprenden mejor sus propiedades.
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Según un artículo publicado en Nature que detalla el éxito de Cornell con el material, los transistores TMD se están imprimiendo actualmente en obleas de silicio con una tasa de éxito del 99 por ciento, lo cual es suficiente para darle a la industria la esperanza de una viabilidad comercial completa en el corto plazo. futuro.
Hemos estado informando últimamente sobre la lucha que han enfrentado los ingenieros, mientras nos enfrentamos a lo que podrían ser los últimos 10 años de la Ley de Moore. Como los límites de la naturaleza y la física nos impiden tener teléfonos más pequeños, los fabricantes de chips y los investigadores se han esforzado por encontrar nuevas formas de romper las leyes de la termodinámica, utilizando todo, desde TMD hasta grafeno, para hacer un chip más pequeño y rápido que no se calienta tanto como para que los componentes internos comiencen a freír.
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Estos nuevos TMD podrían ser un gran paso en la dirección correcta, aunque por ahora son solo algo que se cocinó en un laboratorio. Solo el tiempo dirá si el proceso será escalable hasta el tipo de producción que buscan Intel o AMD, pero tenemos los dedos cruzados.
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