โปรเซสเซอร์สร้างขึ้นจากกระบวนการ FinFET 10 นาโนเมตร ในภาษาอังกฤษธรรมดา นั่นหมายถึงว่ามันมีขนาดกะทัดรัดกว่า Snapdragon 821 รุ่นท็อปสุดในปัจจุบัน ซึ่งสร้างขึ้นจากเทคโนโลยี 14 นาโนเมตร Qualcomm กล่าวว่าสถาปัตยกรรมใหม่นี้บรรจุชิ้นส่วนเพิ่มขึ้น 30 เปอร์เซ็นต์ในพื้นที่เดียวกันและมีขนาดเล็กลงอย่างมาก การปรับปรุงที่เชื่อว่าจะช่วยให้ "บาง [สมาร์ทโฟน] การออกแบบ” และ “แบตเตอรี่ที่ใหญ่ขึ้น” การปรับปรุงเหล่านั้นและการปรับปรุงอื่นๆ ช่วยให้มีประสิทธิภาพดีขึ้น 27 เปอร์เซ็นต์ ลดการใช้พลังงานลง 40 เปอร์เซ็นต์ และยืดอายุการใช้งานแบตเตอรี่ “อย่างมีนัยสำคัญ”
วิดีโอแนะนำ
ความก้าวหน้าครั้งใหญ่อื่นๆ ของโปรเซสเซอร์เกี่ยวข้องกับการชาร์จแบตเตอรี่อย่างรวดเร็ว ปัจจุบันมาตรฐาน Quick Charge 3.0 ของ Qualcomm มีความจุสูงสุดที่ 80 เปอร์เซ็นต์หลังจากการชาร์จ 15 นาที แต่ การทำซ้ำครั้งต่อไป Quick Charge 4.0 มีการปรับปรุงความเร็ว 20 เปอร์เซ็นต์และพลังงานเพิ่มขึ้น 30 เปอร์เซ็นต์ ประสิทธิภาพ. ซึ่งหมายความว่าแบตเตอรี่จะมีอายุการใช้งานเพิ่มขึ้นสูงสุดห้าชั่วโมงด้วยการชาร์จเพียงห้านาที หรือ 50 เปอร์เซ็นต์ของความจุของแบตเตอรี่ใน 15 นาที
ที่เกี่ยวข้อง
- Snapdragon 7+ Gen 2 ใหม่ของ Qualcomm เป็นข่าวใหญ่สำหรับโทรศัพท์ราคาถูก
- Qualcomm กำลังเปิดตัวชิป Snapdragon ใหม่ในวันที่ 20 พฤษภาคม
- Qualcomm แข่งขันกับ Apple M1 ด้วย Snapdragon 8cx Gen 3 ใหม่สำหรับพีซี
Qualcomm กล่าวว่าเทคโนโลยีการชาร์จอย่างรวดเร็วเข้ากันได้กับทั้ง USB Type-C และ USB Power Delivery ข้อมูลจำเพาะที่ได้รับการรับรองโดย USB-Implementers Forum ซึ่งเป็นหน่วยงานอุตสาหกรรมที่สร้างมาตรฐานให้กับ USB เทคโนโลยี การใช้งานเทคโนโลยีของ Qualcomm ก่อนหน้านี้ รวมถึงบางส่วนที่รวมอยู่ใน Snapdragon 821 นั้นดำเนินไปด้วยดี ของข้อมูลจำเพาะโดยการจัดการแรงดันไฟฟ้าเพื่อลดเวลาในการชาร์จและใช้วิธีแก้ไขปัญหาเพื่อตั้งค่าการชาร์จ ความเร็ว. Qualcomm กล่าวว่า Quick Charge 4.0 นั้นเป็นไปตามข้อกำหนดอย่างสมบูรณ์
นอกจากนี้ยังสอดคล้องกับเอกสารความเข้ากันได้ของ Google ในอนาคต หุ่นยนต์ อุปกรณ์ฉบับร่างที่บริษัทเผยแพร่ในสัปดาห์นี้ ในนั้น บริษัทค้นหายักษ์ใหญ่เรียกร้องให้มีอุปกรณ์ USB Type-C ที่ “รองรับ [ed] การทำงานร่วมกันได้เต็มรูปแบบกับเครื่องชาร์จ Type-C มาตรฐาน” ซึ่งเป็นข้อกำหนดที่ชิป Snapdragon รุ่นก่อนหน้าของ Qualcomm ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด
โปรเซสเซอร์ใหม่ยังบรรจุการป้องกันมากมายจากการสะสมความร้อนจากภัยพิบัติที่แสดงโดย Galaxy Note 7 ของ Samsung หนึ่งคือซอฟต์แวร์ INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage) รุ่นล่าสุดของบริษัท จอภาพ การถ่ายโอนพลังงานแบบเรียลไทม์เพื่อให้แน่ใจว่าอุณหภูมิในการทำงานจะไม่เกินอุณหภูมิที่ปลอดภัย การป้องกันความร้อนสี่ระดับ — บางระดับอยู่ที่ตัวเครื่อง บางระดับอยู่ที่แบตเตอรี่ และหลายระดับภายในชิป — รับรู้ถึงประเภทและคุณภาพของสายชาร์จที่เสียบอยู่ คุณสมบัติใหม่ช่วยยืดอายุการใช้งานของแบตเตอรี่ — Qualcomm กล่าวว่าจะรักษาความจุเดิมไว้อย่างน้อย 80 เปอร์เซ็นต์หลังจากรอบการชาร์จ 500 รอบ
บริษัทกำลังร่วมมือกับยักษ์ใหญ่ด้านอิเล็กทรอนิกส์อย่าง Samsung เพื่อสร้างโปรเซสเซอร์ ซึ่งคาดว่าจะเริ่มจัดส่งได้ในช่วงครึ่งแรกของปี 2560 “เรารู้สึกยินดีเป็นอย่างยิ่งที่ได้มีโอกาสทำงานอย่างใกล้ชิดกับ Qualcomm Technologies ในการผลิต Snapdragon 835 โดยใช้ของเรา เทคโนโลยี 10nm FinFET” Jong Shik Yoon รองประธานบริหารของ Samsung และหัวหน้าฝ่ายธุรกิจโรงหล่อกล่าวในสื่อ ปล่อย. “ความร่วมมือครั้งนี้ถือเป็นก้าวสำคัญสำหรับธุรกิจโรงหล่อของเรา เนื่องจากเป็นการแสดงถึงความเชื่อมั่นในเทคโนโลยีกระบวนการชิปชั้นนำของ Samsung”
คุณสามารถคาดหวังได้ว่าจะเริ่มปรากฏในสมาร์ทโฟนรุ่นใหม่ในอีกไม่กี่เดือนข้างหน้า
คำแนะนำของบรรณาธิการ
- Snapdragon 4 Gen 2 ของ Qualcomm นำ 5G ที่เร็วขึ้นมาสู่โทรศัพท์ราคาประหยัด
- ชิป Snapdragon 6 และ 4 Gen 1 ของ Qualcomm ถือเป็นข้อเสนอสุดพิเศษสำหรับโทรศัพท์ราคาถูก
- โมเด็ม Snapdragon X70 ของ Qualcomm ผลักดัน 5G ไปสู่ระดับใหม่
- Qualcomm ทิ้งชื่อของตัวเองจากชิปใหม่เพื่อสนับสนุน 'Snapdragon' เพียงอย่างเดียว
- ขนาด 9000 เทียบกับ Snapdragon 888: เรือธง MediaTek ใหม่คุกคาม Qualcomm อย่างไร
อัพเกรดไลฟ์สไตล์ของคุณDigital Trends ช่วยให้ผู้อ่านติดตามโลกแห่งเทคโนโลยีที่เปลี่ยนแปลงไปอย่างรวดเร็วด้วยข่าวสารล่าสุด รีวิวผลิตภัณฑ์สนุกๆ บทบรรณาธิการที่เจาะลึก และการแอบดูที่ไม่ซ้ำใคร
