Samsung, ki svojo različico zloženega pomnilnika NAND imenuje V-NAND (V je seveda navpični), je napovedal lasten 256 Gbit, 48-slojni čip, 3-bit-per-cell. Medtem ko je podjetje pred nekaj tedni napovedalo 48-slojni čip, je bila njegova zmogljivost "le" 128 Gbit. Novi čip postavlja gostoto shranjevanja na naslednjo raven.
Priporočeni videoposnetki
»Samsungov novi 256 Gb 3D V-NAND flash podvoji gostoto običajnih 128 Gb NAND flash čipov. Poleg tega, da bo novi čip omogočal 32 gigabajtov (256 gigabitov) pomnilniškega prostora za shranjevanje na eni matrici, bo tudi zlahka podvojil kapacitete obstoječe ponudbe SSD-jev Samsung in zagotavlja idealno rešitev za večterabajtne SSD-je,« je dejal Samsung v svojem tisku. sprostitev.
Povečanje gostote podatkov ima preprost, očiten in pomemben učinek; omogoča ustvarjanje pogonov, ki shranijo več v manj prostora. Ko je Samsung izdelal svoj prvotni 48-slojni čip, je na primer izdal nove pogone Samsung 850 Evo in Pro z zmogljivostjo 2 TB.
Zdaj, ko je Samsung to napovedal, se tekma za dosego proizvodnih pogonov začne. SanDisk in Toshiba sta dejala, da izdelkov s partnerjevim čipom ne bomo videli do leta 2016, tako da je ostalo še nekaj časa, da na trg ponudimo novo strojno opremo. Kljub temu Samsung trenutno ni napovedal nobenih novih pogonov za potrošniški ali poslovni trg, zato jih bomo treba počakati in videti, kateri proizvajalec bo prvi spremenil to tehnologijo v izdelek, ki ga bodo uporabniki lahko kupili.
Priporočila urednikov
- Samsungov SmartSSD 2. generacije lahko obdeluje podatke kar na disku
Nadgradite svoj življenjski slogDigitalni trendi bralcem pomagajo slediti hitremu svetu tehnologije z vsemi najnovejšimi novicami, zabavnimi ocenami izdelkov, pronicljivimi uvodniki in enkratnimi vpogledi v vsebine.
