Procesor je zgrajen na 10-nanometrskem procesu FinFET. V navadni angleščini to v bistvu pomeni, da je bolj kompakten od trenutnega vrhunskega Snapdragona 821, ki je zgrajen na 14nm tehnologiji. Qualcomm je dejal, da nova arhitektura vsebuje 30 odstotkov več delov v istem prostoru in ima znatno manjši odtis, izboljšave, za katere trdi, da bodo omogočile "vitkejše [pametni telefon] modeli« in »večje baterije«. Te in druge izboljšave pripomorejo k 27-odstotnemu boljšemu delovanju, 40-odstotnemu zmanjšanju porabe energije in "znatnemu" povečanju življenjske dobe baterije.
Priporočeni videoposnetki
Drugi velik napredek procesorja vključuje hitro polnjenje baterije. Trenutno Qualcommov standard Quick Charge 3.0 doseže 80 odstotkov zmogljivosti po 15 minutah polnjenja, vendar naslednja ponovitev, Quick Charge 4.0, ima 20-odstotno izboljšanje hitrosti in 30-odstotno izboljšanje energije učinkovitost. To pomeni do pet ur dodatnega delovanja baterije v samo petih minutah polnjenja ali 50 odstotkov zmogljivosti baterije v 15 minutah.
Povezano
- Qualcommov novi Snapdragon 7+ Gen 2 je velika novica za poceni telefone
- Qualcomm bo 20. maja predstavil nove čipe Snapdragon
- Qualcomm se spopada z Apple M1 z novim Snapdragonom 8cx Gen 3 za osebne računalnike
Qualcomm je dejal, da je tehnologija hitrega polnjenja popolnoma združljiva z USB Type-C in USB Power dostavo specifikacije, ki jih je ratificiral USB-Implementers Forum, industrijski organ, ki standardizira USB tehnologije. Prejšnje izvedbe Qualcommove tehnologije, vključno z nekaterimi, zapakiranimi v Snapdragon 821, so v nasprotju specifikacije z manipulacijo napetosti za skrajšanje časa ponovnega polnjenja in uporabo rešitev za nastavitev polnjenja hitrost. Qualcomm je dejal, da je Quick Charge 4.0 v nasprotju s tem popolnoma skladen.
Prav tako je v skladu z Googlovim dokumentom o združljivosti za prihodnost Android naprave, katerih osnutek je podjetje objavilo ta teden. V njem je iskalni velikan pozval k napravam USB Type-C, ki "podpirajo popolno interoperabilnost s standardnimi polnilniki Type-C" - zahteva, ki je prejšnji Qualcommovi čipi Snapdragon niso izpolnjevali.
Novi procesor ima tudi bogato zaščito pred katastrofalnim kopičenjem toplote, kot ga kaže Samsungov Galaxy Note 7. Ena, zadnja generacija programske opreme podjetja INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage), monitorji prenos moči v realnem času, da se zagotovi, da ne preseže varnih delovnih temperatur. Štiri stopnje toplotne zaščite – nekatere na ohišju, druge na bateriji in več v samem čipu – zaznavajo vrsto in kakovost priključenih polnilnih kablov. Nove funkcije podaljšujejo življenjsko dobo baterije - Qualcomm je dejal, da bo ohranila vsaj 80 odstotkov prvotne zmogljivosti po 500 ciklih polnjenja.
Podjetje se združuje z elektronskim velikanom Samsungom pri izdelavi procesorjev, ki naj bi jih začeli dobavljati v prvi polovici leta 2017. »Veseli nas, da imamo priložnost tesno sodelovati s Qualcomm Technologies pri izdelavi Snapdragon 835 z uporabo našega 10nm FinFET tehnologija,« je v tisku dejal Jong Shik Yoon, izvršni podpredsednik Samsunga in vodja njegovega livarskega poslovanja. sprostitev. "To sodelovanje je pomemben mejnik za naš livarski posel, saj pomeni zaupanje v Samsungovo vodilno tehnologijo obdelave čipov."
Pričakujete lahko, da se bo v prihodnjih mesecih začel pojavljati v novih pametnih telefonih.
Priporočila urednikov
- Qualcommov Snapdragon 4 Gen 2 prinaša hitrejši 5G v poceni telefone
- Qualcommovi čipi Snapdragon 6 in 4 Gen 1 so velika ponudba za poceni telefone
- Qualcommov modem Snapdragon X70 potiska 5G v nove višine
- Qualcomm opusti svoje ime iz novih čipov v korist samega "Snapdragona".
- Dimensity 9000 proti. Snapdragon 888: Kako novi vodilni procesor MediaTek ogroža Qualcomm
Nadgradite svoj življenjski slogDigitalni trendi bralcem pomagajo slediti hitremu svetu tehnologije z vsemi najnovejšimi novicami, zabavnimi ocenami izdelkov, pronicljivimi uvodniki in enkratnimi vpogledi v vsebine.
