A Samsung, que chama sua versão de memória NAND empilhada de V-NAND (o V significa vertical, é claro), anunciou seu próprio chip de 256 Gbit, 48 camadas e 3 bits por célula. Embora a empresa tenha anunciado um chip de 48 camadas há algumas semanas, sua capacidade era de “apenas” 128 Gbit. O novo chip leva a densidade de armazenamento para o próximo nível.
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“O novo flash 3D V-NAND de 256 Gb da Samsung dobra a densidade dos chips flash NAND convencionais de 128 Gb. Além de permitir 32 gigabytes (256 gigabits) de armazenamento de memória em um único chip, o novo chip também duplicará facilmente o capacidade das linhas de SSD existentes da Samsung e fornecer uma solução ideal para SSDs de vários terabytes”, disse a Samsung em sua imprensa liberar.
O aumento da densidade de dados tem um impacto simples, óbvio e importante; permite a criação de unidades que armazenam mais em menos espaço. Quando a Samsung construiu seu chip original de 48 camadas, por exemplo, ela lançou os novos drives Samsung 850 Evo e Pro de 2 TB.
Agora que a Samsung fez este anúncio, começou a corrida para chegar às unidades de produção. A SanDisk e a Toshiba disseram que não veríamos produtos com o chip do parceiro até 2016, o que deixa algum tempo para lançar novo hardware no mercado. Dito isto, a Samsung não anunciou atualmente nenhuma nova unidade para o mercado consumidor ou empresarial, então iremos temos que esperar para ver qual fabricante será o primeiro a converter essa tecnologia em um produto que os usuários possam comprar.
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