De acordo com o pesquisador sênior Mark Bohr, a Intel planeja romper a barreira dos 14 nm para 10 nm em algum momento de 2016, e continuar avançando direto para os 7 nm cerca de dois anos depois disso.
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Estas previsões vêm na esteira de alguns erros bem divulgados que a empresa seguiu em seu caminho para atingir o limite de 14 nm: “Acho que podemos ter subestimado a taxa de aprendizado – quando você tem uma tecnologia isso adiciona muito mais máscaras, como fez o 14[nm], leva mais tempo para executar experimentos na fábrica e obter informações transformadas, conforme as descrevemos”, disse Bohr.
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O desafio que a empresa enfrentou nos últimos ciclos de chips foi tentar encontrar uma maneira de impulsionar o limites teóricos do que o silício é capaz, sem passar para novos materiais como o grafeno ou siliceno. Com novas técnicas aplicadas à luz usada para gravar transistores em silício, a Intel acredita que os problemas encontrados com o chip de 14 nm A construção Broadwell foi superada e as lições aprendidas se traduzirão em uma taxa de produção mais suave para construções de 10nm e 7nm no futuro.
Bohr disse aos meios de comunicação em sua teleconferência que a equipe de desenvolvimento da Intel para 10nm está funcionando 50% mais rápido do que Broadwell, o que significa que deve estar no caminho certo para atingir a meta de 7 nm sem problemas adicionais daqui em diante fora.
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