Samsung, który nazywa swoją wersję skumulowanej pamięci NAND V-NAND (oczywiście litera V oznacza pionową), ogłosił wprowadzenie własnego układu 256 Gbit, 48-warstwowego i 3 bitów na komórkę. Choć firma kilka tygodni temu ogłosiła wprowadzenie 48-warstwowego chipa, jego pojemność wyniosła „tylko” 128 Gbit. Nowy chip przenosi gęstość pamięci na wyższy poziom.
Polecane filmy
„Nowa pamięć flash 3D V-NAND firmy Samsung o pojemności 256 Gb podwaja gęstość konwencjonalnych układów flash NAND o pojemności 128 Gb. Oprócz umożliwienia przechowywania 32 gigabajtów (256 gigabitów) pamięci na jednej kości, nowy chip z łatwością podwoi także pojemności istniejących dysków SSD firmy Samsung i stanowią idealne rozwiązanie dla wieloterabajtowych dysków SSD” – stwierdził Samsung w swoim komunikacie prasowym uwolnienie.
Zwiększanie gęstości danych ma prosty, oczywisty i ważny wpływ; umożliwia tworzenie dysków, które przechowują więcej na mniejszej przestrzeni. Na przykład firma Samsung zbudowała swój oryginalny 48-warstwowy układ, a następnie wypuściła na rynek nowe dyski Samsung 850 Evo i Pro o pojemności 2 TB.
Teraz, gdy Samsung ogłosił to, rozpoczął się wyścig, aby trafił on na dyski produkcyjne. SanDisk i Toshiba oświadczyły, że produkty wyposażone w chip partnera pojawią się dopiero w 2016 roku, więc pozostaje trochę czasu na wprowadzenie nowego sprzętu na rynek. To powiedziawszy, Samsung nie ogłosił obecnie żadnych nowych dysków ani na rynek konsumencki, ani na rynek korporacyjny, więc to zrobimy trzeba poczekać i zobaczyć, który producent jako pierwszy przekształci tę technologię w produkt, który użytkownicy będą mogli kupić.
Zalecenia redaktorów
- Dyski SmartSSD drugiej generacji firmy Samsung mogą przetwarzać dane bezpośrednio na dysku
Ulepsz swój styl życiaDigital Trends pomaga czytelnikom śledzić szybko rozwijający się świat technologii dzięki najnowszym wiadomościom, zabawnym recenzjom produktów, wnikliwym artykułom redakcyjnym i jedynym w swoim rodzaju zajawkom.
