Samsung, dat zijn versie van gestapeld NAND-geheugen V-NAND noemt (de V is natuurlijk voor verticaal), heeft zijn eigen 256 Gbit, 48-laags, 3-bit-per-cel-chip aangekondigd. Terwijl het bedrijf enkele weken geleden een 48-laags chip aankondigde, bedroeg de capaciteit “slechts” 128 Gbit. De nieuwe chip tilt de opslagdichtheid naar een hoger niveau.
Aanbevolen video's
“De nieuwe 256 Gb 3D V-NAND-flitser van Samsung verdubbelt de dichtheid van conventionele 128 Gb NAND-flashchips. Naast het mogelijk maken van 32 gigabyte (256 gigabits) geheugenopslag op één chip, zal de nieuwe chip ook gemakkelijk de hoeveelheid geheugen verdubbelen capaciteit van de bestaande SSD-series van Samsung, en bieden een ideale oplossing voor SSD's van meerdere terabytes”, aldus Samsung in de pers uitgave.
Het verhogen van de datadichtheid heeft een eenvoudige, voor de hand liggende en belangrijke impact; het maakt het mogelijk schijven te creëren die meer opslaan in minder ruimte. Toen Samsung bijvoorbeeld zijn originele 48-laags chip bouwde, volgde de release van nieuwe 2TB Samsung 850 Evo- en Pro-schijven.
Nu Samsung deze aankondiging heeft gedaan, is de race begonnen om productiedrives te bereiken. SanDisk en Toshiba zeiden dat we pas in 2016 producten met de chip van de partner zouden zien, dus er is nog tijd over om nieuwe hardware op de markt te brengen. Dat gezegd hebbende, heeft Samsung momenteel geen nieuwe schijven aangekondigd voor de consumenten- of zakelijke markt, dus dat zullen we doen Het is afwachten welke fabrikant als eerste deze technologie zal omzetten naar een product dat gebruikers kunnen kopen.
Aanbevelingen van de redactie
- De 2e generatie SmartSSD van Samsung kan gegevens rechtstreeks op de schijf verwerken
Upgrade uw levensstijlMet Digital Trends kunnen lezers de snelle technische wereld in de gaten houden met het laatste nieuws, leuke productrecensies, inzichtelijke redactionele artikelen en unieke sneak peeks.
