Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.(TSMC)가 공식적으로 발표했습니다. 2nm 노드, N2라고 불립니다. 2025년 출시 예정인 새로운 프로세스에는 새로운 제조 기술이 도입될 예정입니다.
TSMC의 티저에 따르면 2nm 공정은 이전 제품에 비해 순수한 성능 향상을 제공하거나 동일한 전력 수준에서 사용될 때 전력 효율성이 훨씬 더 높아질 것입니다.
TSMC는 새로운 2N 기술에 대해 오랫동안 이야기하면서 아키텍처의 내부 작동 방식을 설명했습니다. 2N은 GAAFET(Gate-All-Around Field-Effect Transistor)를 사용하는 TSMC의 첫 번째 노드가 될 것이며 N3E 노드에 비해 칩 밀도를 1.1배 증가시킬 것입니다. 2N이 출시되기 전에 TSMC는 2022년 TSMC 기술 심포지엄에서도 예고된 3nm 칩을 출시할 예정입니다.
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3nm 노드는 5개의 서로 다른 계층으로 출시될 예정이며, 새로운 릴리스가 나올 때마다 트랜지스터 수가 증가하여 칩의 성능과 효율성이 향상됩니다. TSMC는 N3부터 시작하여 나중에 N3E(Enhanced), N3P(Performance Enhanced), N3S(Density Enhanced), 그리고 마지막으로 "Ultra-High Performance" N3X를 출시할 예정입니다. 첫 번째 3nm 칩은 올해 하반기에 출시될 것으로 알려졌습니다.
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출시일 측면에서 3nm 공정이 우리에게 더 가깝지만, 아직 몇 년이 더 남았음에도 불구하고 약간 더 흥미로운 것은 2nm입니다. 2nm 노드에 대한 TSMC의 목표는 분명해 보입니다. 즉, 와트당 성능을 높여 더 높은 수준의 출력과 효율성을 모두 가능하게 하는 것입니다. 아키텍처 전체는 추천할만한 것이 많습니다. GAA 나노시트 트랜지스터를 예로 들어보겠습니다. 그들은 사방이 게이트로 둘러싸인 채널을 가지고 있습니다. 이렇게 하면 누출이 줄어들지만 채널을 넓힐 수도 있어 성능이 향상됩니다. 또는 채널을 축소하여 전력 비용을 최적화할 수 있습니다.
N3와 N2 모두 N3에 비해 상당한 성능 향상을 제공합니다. 현재 N5, 그리고 모두 전력 소비와 와트당 성능의 균형을 선택할 수 있는 옵션을 제공합니다. 예를 들어(처음 공유한 사람은 톰의 하드웨어), N3와 N5를 비교하면 원시 성능이 최대 15% 향상되고 동일한 주파수에서 사용할 때 전력이 최대 30% 감소합니다. N3E는 이 수치를 각각 최대 18%와 34%까지 더 높일 것입니다.
이제 N2에서 상황이 흥미로워지기 시작합니다. N3E 노드와 동일한 전력 소비로 사용하면 최대 15%의 성능 향상을 기대할 수 있습니다. 주파수가 N3E에서 제공하는 수준으로 낮아지면 N2는 최대 30% 더 낮은 전력을 제공합니다. 소비.
N2는 어디에 사용되나요? 모바일 SoC(시스템온칩)부터 고급 칩까지 모든 종류의 칩에 적용할 수 있을 것입니다. 그래픽 카드, 그리고 동등하게 발전된 프로세서. TSMC는 2nm 공정의 특징 중 하나가 '칩렛 통합'이라고 언급했습니다. 이는 다음을 의미합니다. 많은 제조업체는 N2를 사용하여 멀티 칩렛 패키지를 활용하여 더 많은 전력을 공급할 수 있습니다. 작은 조각.
더 작은 프로세스 노드는 결코 나쁜 것이 아닙니다. N2가 출시되면 다음을 포함한 모든 하드웨어에 고성능을 제공할 것입니다. 최고의 CPU 그리고 GPU, 전력 소비와 발열을 최적화합니다. 하지만 그렇게 될 때까지는 기다려야 합니다. TSMC는 2025년까지 대량 생산을 시작하지 않을 것이므로 현실적으로 2026년 이전에는 2nm 기반 장치가 시장에 출시될 가능성이 낮습니다.
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