인텔, 무어의 법칙을 따라가는 새로운 혁신 보고

인텔은 패키징, 트랜지스터, 양자물리학 분야의 다양한 발전을 공개하는 보도자료를 발표했습니다. 회사는 이러한 새로운 발견이 무어의 법칙을 추구하여 이루어졌다고 밝혔습니다.

Intel에 따르면 이러한 혁신은 2025년을 넘어 향후 몇 년 동안 컴퓨팅을 발전시키는 데 기본이 될 것입니다.

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보도 자료는 전체적으로 무어의 법칙을 언급하며 인텔이 현대 컴퓨팅의 급속한 발전을 따라가는 것이 얼마나 중요한지 강조합니다. 무어의 법칙은 원칙적으로 속도와 성능을 포함한 컴퓨터의 성능이 2년에 한 번씩 두 배로 향상될 것으로 예상할 수 있다고 말합니다. 이는 마이크로칩 내부에 들어갈 수 있는 트랜지스터 수가 증가하는 등 다양한 기술 개선의 결과로 발생합니다.

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인텔은 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM) 2021에서 이같이 발표했습니다. 보도 자료에서 인텔은 길 찾기의 세 가지 영역과 계속해서 궤도에 오르고 있음을 증명하는 혁신에 대해 길게 이야기했습니다. 로드맵에 따라 2025년 이후까지.

이 회사는 여러 분야의 연구에 집중하고 있으며 향후 제품에 더 많은 트랜지스터를 제공하는 데 도움이 될 필수 스케일링 기술의 상당한 진전을 보고합니다. 인텔 엔지니어들은 칩 패키징의 상호 연결 밀도를 10배 이상 높이는 솔루션을 연구해 왔습니다.

인텔은 2022년 7월 인텔 가속 행사에서 포베로스 다이렉트(Foveros Direct)를 선보일 계획이라고 언급하기도 했다. 이는 10미크론 미만의 범프 피치를 가능하게 하여 3D 적층을 위한 상호 연결 밀도를 10배 증가시킵니다. 거대 기술 기업은 새로운 산업을 구축하기 위해 다른 제조업체들과 협력할 것을 요구하고 있습니다. 표준 및 테스트 절차를 통해 새로운 하이브리드 본딩 칩렛 생태계를 만들 수 있습니다.

인텔의 혁신으로 2025년 이후 무어의 법칙 추진
인텔사

보도 자료에서 인텔은 또한 평방 밀리미터당 더 많은 트랜지스터를 장착하여 궁극적으로 동일한 크기의 칩에서 더 많은 컴퓨팅 성능을 제공함으로써 무어의 법칙을 더욱 발전시키는 것을 언급합니다. 이는 여러 개의 CMOS 트랜지스터를 적층하여 수행되며 인텔은 로직 스케일링을 30%에서 50% 사이로 향상시킬 것이라고 약속합니다.

회사는 또한 자사의 혁신이 실리콘에 새로운 기능을 가져올 것이라고 약속했습니다. 인텔에 따르면 질화갈륨(GaN) 기반 시스템에서 작동하는 새로운 전원 스위치의 통합 덕분에 전력 기술 측면에서 더 높은 효율성을 기대할 수 있습니다. 이는 300mm 웨이퍼에 새로운 CMOS(상보형 금속산화물반도체)와 결합됐다. 궁극적으로 Intel은 이것이 프로세서에 고속 전력 공급을 제공하는 동시에 미래 마더보드의 전력 효율성과 공간 절약을 향상시킬 것으로 기대하고 있습니다.

위의 내용 외에도 Intel은 DRAM 기술 분야의 발전을 위해 노력하고 있습니다. Intel은 새로운 강유전체 재료를 사용하여 더 빠른 읽기/쓰기 속도와 더 큰 메모리 리소스를 제공할 수 있기를 희망합니다. 이는 게임에서 인공 지능에 이르기까지 다양한 분야에서 더욱 강력한 컴퓨팅에 대한 계속 증가하는 수요를 해결할 것입니다.

IEDM 2021에서 Intel은 세계 최초로 실온에서 자기전기 스핀-궤도 논리 장치를 공개했습니다. 이는 스위칭 나노크기 자석을 기반으로 하는 새로운 유형의 트랜지스터를 제조하기 위한 단계입니다. 인텔은 IMEC와 협력하여 스핀트로닉 재료를 연구하고 이 기술을 더욱 발전시켰습니다.

전체 보도 자료는 다음과 같은 사람들과 공유되었습니다. 테크파워업. 인텔은 현재의 영광에 안주하지 않는 것 같습니다. 신제품 출시 성공 후 인텔 앨더 레이크 프로세서, 제조업체는 새로운 라인을 포함하여 2022년에 대한 큰 계획을 가지고 있습니다. 개별 그래픽 카드. 그러나 보도 자료에는 향후 몇 년을 훨씬 넘어서 다양한 컴퓨팅 영역에 새로운 발전을 가져오는 훨씬 더 큰 계획이 나와 있습니다.

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