프로세서는 10나노미터 FinFET 프로세스를 기반으로 구축되었습니다. 쉽게 말하면, 이는 기본적으로 14nm 기술을 기반으로 하는 현재 최고급 Snapdragon 821보다 더 컴팩트하다는 것을 의미합니다. Qualcomm은 새로운 아키텍처가 동일한 공간에 30% 더 많은 부품을 담을 수 있고 설치 공간도 훨씬 작아진다고 밝혔습니다.스마트 폰] 디자인”및 “더 큰 배터리”. 이러한 기능과 기타 개선 사항을 통해 성능은 27% 향상되고, 전력 소모량은 40% 감소하며, 배터리 수명이 "상당히" 향상됩니다.
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프로세서의 또 다른 큰 발전은 빠른 배터리 충전입니다. 현재 Qualcomm의 Quick Charge 3.0 표준은 15분 충전 후 80%의 용량을 달성하지만 다음 버전인 Quick Charge 4.0은 속도가 20% 향상되고 에너지가 30% 향상됩니다. 능률. 즉, 단 5분 충전으로 최대 5시간의 배터리 수명을 연장하거나 15분 충전으로 배터리 용량의 50%를 충전할 수 있습니다.
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Qualcomm은 급속 충전 기술이 USB Type-C 및 USB 전원 공급과 완벽하게 호환된다고 밝혔습니다. USB를 표준화하는 산업 단체인 USB-Implementers Forum에서 승인한 사양 기술. Snapdragon 821에 포함된 몇 가지 기술을 포함하여 Qualcomm의 이전 기술 구현은 문제가 있습니다. 재충전 시간을 줄이기 위해 전압을 조작하고 충전을 설정하기 위한 해결 방법을 채택하여 사양을 충족합니다. 속도. 반면 Qualcomm은 Quick Charge 4.0이 완벽하게 호환된다고 밝혔습니다.
또한 향후 Google의 호환성 문서와도 일치합니다. 기계적 인조 인간 회사가 이번 주에 공개한 초안입니다. 이 보고서에서 검색 대기업은 "표준 Type-C 충전기와의 완전한 상호 운용성을 지원"하는 USB Type-C 장치를 요구했는데, 이는 Qualcomm의 이전 Snapdragon 칩이 충족하지 못한 요구 사항입니다.
새로운 프로세서는 또한 삼성 갤럭시 노트 7에서 나타나는 일종의 치명적인 열 축적에 대한 풍부한 보호 기능을 갖추고 있습니다. 하나는 회사의 INOV(최적 전압을 위한 지능적 협상) 소프트웨어의 최신 세대입니다. 모니터 안전한 작동 온도를 초과하지 않도록 실시간으로 전력을 전송합니다. 4가지 수준의 열 보호(일부는 섀시, 일부는 배터리, 일부는 칩 자체 내부)가 연결된 충전 케이블의 유형과 품질을 감지합니다. 새로운 기능으로 배터리 수명이 연장되었습니다. Qualcomm은 500회 충전 후에도 원래 용량의 최소 80%를 유지할 것이라고 밝혔습니다.
이 회사는 전자 대기업인 삼성과 협력하여 프로세서를 제작하고 있으며, 이 프로세서는 2017년 상반기에 출시될 것으로 예상됩니다. “Qualcomm Technologies와 긴밀히 협력하여 Snapdragon 835를 생산할 수 있는 기회를 갖게 되어 기쁘게 생각합니다. 10nm FinFET 기술”이라고 윤종식 삼성전자 파운드리사업부 총괄 부사장이 언론을 통해 밝혔다. 풀어 주다. “이번 협력은 삼성의 선도적인 칩 공정 기술에 대한 신뢰를 의미하는 만큼 우리 파운드리 사업에 있어 중요한 이정표입니다.”
앞으로 몇 달 안에 새로운 스마트폰에 이 기능이 나타나기 시작할 것으로 예상할 수 있습니다.
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