선임 연구원인 Mark Bohr에 따르면 Intel은 2016년쯤에 14nm 장벽을 돌파하고 10nm로 진입할 계획이며, 그로부터 2년 정도 후에 7nm를 향해 계속해서 직진할 계획입니다.
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이러한 예측은 일부 사람들의 뒤를 이어 나왔습니다. 널리 알려진 실수 회사가 14nm 경계에 도달하기 위한 길을 갔다고 말했습니다. “기술이 있을 때 학습률을 과소평가했을 수도 있습니다. 14nm처럼 더 많은 마스크를 추가하면 우리가 설명하는 것처럼 팹에서 실험을 실행하고 정보를 변환하는 데 더 오랜 시간이 걸립니다.”라고 Bohr는 말했습니다.
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지난 몇 번의 칩 주기 동안 회사가 직면한 과제는 그래핀이나 같은 신소재로 전환하지 않고도 실리콘이 할 수 있는 것의 이론적 한계 규소. 인텔은 트랜지스터를 실리콘에 에칭하는 데 사용하는 빛에 새로운 기술을 적용함으로써 14nm에서 직면하는 문제를 믿고 있습니다. Broadwell 빌드는 극복되었으며 거기서 배운 교훈은 10nm 및 7nm 빌드의 생산 속도를 더욱 원활하게 만들 것입니다. 미래.
Bohr는 전화 회의에서 Intel의 10nm 개발 팀이 50% 더 빠르게 실행되고 있다고 언론 매체에 말했습니다. 이는 Broadwell보다 더 큰 문제 없이 7nm 목표를 달성할 수 있다는 의미입니다. 밖으로.
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