スタック型 NAND メモリの自社バージョンを V-NAND (V は垂直を意味します) と呼ぶ Samsung は、独自の 256 Gbit、48 層、セルあたり 3 ビットのチップを発表しました。 同社は数週間前に48層チップを発表したが、その容量は「わずか」128ギガビットだった。 新しいチップはストレージ密度を次のレベルに引き上げます。
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「サムスンの新しい 256 Gb 3D V-NAND フラッシュは、従来の 128 Gb NAND フラッシュ チップの密度を 2 倍にします。 新しいチップは、単一のダイ上で 32 ギガバイト (256 ギガビット) のメモリ ストレージを可能にするだけでなく、メモリ容量も簡単に 2 倍にします。 Samsung の既存の SSD ラインナップの容量を最大限に引き出し、マルチテラバイト SSD に理想的なソリューションを提供します」と Samsung はプレスで述べています。 リリース。
データ密度の増加は、単純かつ明白かつ重要な影響を及ぼします。 より少ないスペースでより多くのデータを保存できるドライブを作成できます。 たとえば、Samsung は独自の 48 層チップを開発した後、新しい 2TB Samsung 850 Evo および Pro ドライブをリリースしました。
サムスンがこの発表を行った今、量産ドライブに到達するための競争が始まっています。 サンディスクと東芝は、パートナーのチップを搭載した製品は 2016 年まで登場しないと述べたため、新しいハードウェアを市場に投入するにはまだ時間がかかります。 とはいえ、Samsung は現在、コンシューマー市場またはエンタープライズ市場向けの新しいドライブを発表していません。 どのメーカーが最初にこのテクノロジーをユーザーが購入できる製品に変換するかを見守る必要があります。
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