台湾積体電路製造会社（TSMC）が導入した新技術は、NvidiaとAMDのグラフィックスカードを物理的に大型化することなく性能を向上させる可能性がある。 この技術はウェーハ・オン・ウェーハと呼ばれ、層を積み重ねることにより最新のソリッドステートドライブで使用される 3D NAND メモリ技術を模倣します。 ハードウェアをプリント基板全体に水平に広げるのではなく、垂直に配置する必要があります。これには追加の物理的配置が必要になります。 空間。
では、ウエハースとは何でしょうか？ お気に入りのスナックとは異なり、それは研磨された半導体材料の薄いスライスであり、基礎として機能します。 電気を伝える層状の銅線と、その心臓部であるトランジスタ プロセッサー。 ウェハと実装部品は、 ダイヤモンドソーでチップ状に切断し、 デスクトップを開いたときに表示される物理プロセッサ パッケージに配置されます。
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現在、Nvidia と AMD が製造するグラフィックス チップは単一のウェーハに依存しています。 しかし、地球上最大の独立系専用半導体ファウンドリである TSMC は、2 つのウェハを 1 つのパッケージに積み重ねる方法を発見しました。 上部のウェハを下部のウェハ上に裏返し、両方を貼り合わせます。 さらに、上部のウェハには入出力接続ピアシング (別名スルーシリコンビア) が含まれているため、このデュオはフリップチップ技術を使用してパッケージ化されています。
TSMCパートナーのケイデンスによるとこの技術では、インターポーザーと呼ばれるもの、つまり接続を別の接続にルーティングする電気インターフェイスを使用して、立方体形のパッケージ内で 2 セットのウェハーが相互に接続されることが考えられます。 2 枚以上のウェーハを垂直に積層することもでき、1 枚を除くすべてのウェーハにイン/アウト スルーシリコン ビア接続が備わっています。
これは多くの技術的な話ですが、基本的には TSMC の技術を使用して、グラフィックス チップを水平方向ではなく垂直方向にスケーリングできる方法について説明しています。 より多くのコアを 1 つのグラフィックス チップに詰め込むことができるだけでなく、各ウェーハ間の通信が非常に高速になります。
したがって、アーキテクチャを微調整する代わりに、 製品のリブランディング
新しいファミリとして、メーカーは製品のリフレッシュとして 2 つ以上の現在の GPU を 1 枚のカードにスタックできる可能性があります。 オペレーティング システムは、これをマルチ GPU 構成としてではなく、単一のカードとして検出します。3D NAND では、メモリ セルが垂直にスタックされ、間に合わせのデータ エレベーターを介して接続されます。 この方法により、メーカーは同じ物理的制約内で追加のストレージ容量を提供できます。 データが水平の「都市の通り」を使用して目的地を探すのではなく、メモリタワーを上り下りすることを考えると、この設計も高速です。
プロセッサー・ウェーハを積層する場合の問題は、全体の製造歩留まりにある可能性があります。 2 枚のウェーハのうち 1 枚は合格する可能性がありますが、もう 1 枚のウェーハは不良であるため、両方とも廃棄されてしまいます。 この方法では、 費用がかかりすぎることが判明する 低歩留まりの製品では使用できず、TSMC の 16nm プロセス テクノロジのような、製造歩留まりの高い生産ノードで使用する必要があります。
TSMCはそのwを導入しましたカリフォルニア州サンタクララで開催されたシンポジウムでのアファー・オン・ウェハー技術。 同社はまた、高性能で先進的なモバイルコンピューティングのための5nmおよび7nm+プロセステクノロジーに関してケイデンスと提携することも明らかにした。
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