クアルコムがSnapdragon 835とQuick Charge 4を発表

このプロセッサは 10 ナノメートル FinFET プロセスで構築されています。 平たく言えば、これは基本的に、14nm技術で構築された現在の最上位のSnapdragon 821よりもコンパクトであることを意味します。 クアルコムは、新しいアーキテクチャでは同じスペースに 30% 多くの部品が詰め込まれ、設置面積が大幅に小さくなったと述べ、改善により「よりスリムな」ことが可能になると主張しています。スマートフォン]デザイン」と「より大きなバッテリー」。 これらおよびその他の機能強化により、パフォーマンスが 27% 向上し、消費電力が 40% 削減され、バッテリー寿命が「大幅に」向上しました。

プロセッサーのもう 1 つの大きな進歩には、バッテリーの急速充電が含まれます。 現在、クアルコムの Quick Charge 3.0 規格は、15 分間の充電後に最大容量が 80% に達しますが、 次のバージョンである Quick Charge 4.0 では、速度が 20% 向上し、エネルギーが 30% 向上しています。 効率。 これは、わずか 5 分間の充電で最大 5 時間のバッテリー寿命が延びることに相当し、15 分でバッテリー容量の 50 パーセントが充電されることになります。

クアルコムは、急速充電技術はUSB Type-CとUSB Power Deliveryの両方と完全に互換性があると述べた USBを標準化する業界団体であるUSB-Implementers Forumによって承認された仕様 テクノロジー。 クアルコムの技術の以前の実装（Snapdragon 821 に組み込まれたいくつかの実装を含む）は違反します 電圧を操作して再充電時間を短縮し、充電を設定するための回避策を採用することにより、仕様を大幅に改善します。 スピード。 対照的にQualcommは、Quick Charge 4.0は完全に準拠していると述べた。

また、将来の Google の互換性ドキュメントにも準拠しています。 アンドロイド 同社は今週その草案を公開した。 その中で、検索大手は「標準の Type-C 充電器との完全な相互運用性をサポートする」USB Type-C デバイスを求めていますが、これはクアルコムの以前の Snapdragon チップでは満たされなかった要件です。

新しいプロセッサには、Samsung の Galaxy Note 7 で見られるような壊滅的な発熱に対する保護機能も豊富に組み込まれています。 1 つは、同社の最新世代の INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage) ソフトウェアです。 モニター リアルタイムで電力伝送を行い、安全な動作温度を超えないようにします。 4 つのレベルの熱保護 (シャーシ、バッテリー、チップ自体の内部のいくつか) が、差し込まれた充電ケーブルの種類と品質を感知します。 新機能によりバッテリーの寿命が延長 - クアルコムは、500 回の充電サイクル後も元の容量の少なくとも 80% を維持すると発表しました。

同社は電子機器大手サムスンと提携してプロセッサーを製造しており、2017年前半に出荷を開始する予定だ。 「私たちは、クアルコム テクノロジーズと緊密に協力して、当社の 10nm FinFET テクノロジー」とサムスンの執行副社長兼ファウンドリ事業責任者のジョン・シク・ユン氏はプレスで語った。 リリース。 「この提携は、サムスンの最先端のチッププロセス技術に対する信頼を示すものであり、当社のファウンドリ事業にとって重要なマイルストーンです。」

今後数か月以内に新しいスマートフォンに搭載されることが予想されます。

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