シニアフェローのマーク・ボーア氏によると、インテルは2016年中に14nmの壁を突破して10nmを実現し、その後約2年で7nmに向けて突き進み続ける計画だという。
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これらの予測は、いくつかの予測に続いて行われます。 よく知られた失敗 同社が 14nm 境界に到達する方向に進んでいることについて、「私たちは、テクノロジーを持っているときの学習率を過小評価していたのではないかと思います」 14[nm]の場合と同様に、さらに多くのマスクが追加されるため、工場内で実験を実行して情報を取得するのに時間がかかります」とボーア氏は述べています。
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過去数回のチップサイクルで同社が直面してきた課題は、 グラフェンや シリセン。 インテルは、シリコンにトランジスタをエッチングするために使用する光に新しい技術を適用することで、14nm で直面する問題を解決できると考えています。 Broadwell ビルドは克服されており、そこで学んだ教訓は、今後の 10nm および 7nm ビルドのよりスムーズな生産速度に反映されるでしょう。 未来。
ボーア氏は電話会議で報道機関に対し、インテルの10nm開発チームの作業は50パーセント速くなっていると語った。 つまり、今後は何の問題もなく 7nm の目標を達成できるはずです 外。
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