BiCS3 は、Western Digital と東芝のコラボレーションの成果です。 これは、以前の 48 層からさらに 64 層の世界初の 3D NAND テクノロジーです。 BiCS2 テクノロジーを採用しており、セルあたり 3 ビットを備えた 256 ギガビット容量のデバイスとしてリリースされます。 テクノロジー。 WDによると、これにより単一チップ上で最大0.5テラビットの容量が可能になるという。
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BiCS3 のパイロット生産は、三重県四日市市にある新しい Fab 2 半導体製造施設で行われています。 WDと東芝 7月15日のオープンを発表、この施設は2D NAND容量を3Dフラッシュメモリに変換することに重点を置くと述べています。 3Dフラッシュメモリの第一段階生産は、施設が部分的に完成したにもかかわらず、3月に開始された。
このコラボレーションは、実際には 5 月に WD がサンディスクを買収したことに端を発しています。 以前東芝と契約を結んでいた 2015 年 8 月に第 2 世代の BiCS フラッシュ メモリを開発しました。 結果として得られたデバイスは、256Gb (32GB) の容量と、セルあたり 3 ビットの TLC (トリプルレベル セル) テクノロジーを使用した 48 層を備えていました。 したがって、SSD、タブレット、スマートフォン、および内部ストレージを必要とするその他のデバイスに最適です。
BiCSは実際には ビットコストのスケーラブル. メモリセルを超高層ビルのように垂直に積み上げる三次元メモリ技術です。 ストレージが水平ではなく垂直に拡張されるため、通常の NAND よりも高密度が可能になり、節約が可能になります。 空間。 BiCS に基づく最初のフラッシュベースのデバイスは、セルあたり 2 ビットの構造と 128Gb (16GB) の容量を特徴としていました。
BiCS は、既存の「フラット」フローティング ゲート ベースの NAND テクノロジでスケーリングの限界が限界に達した後、メモリの次のステップとして 2007 年に東芝によって導入されました。
講演によると 東芝の仁田山明宏氏によると、BiCS では、エッチングと多層形成技術を使用してメモリセルの多数の層を同時に作成できます。 同氏はまた、BiCS技術は5世代にわたって持続すると予想されているとも述べた。 WD からの最新の発表に基づいて、現在は第 3 世代に移行しています。「業界をリードする当社の 64 層アーキテクチャに基づく次世代 3D NAND テクノロジーの発表により、当社の NAND フラッシュ技術におけるリーダーシップです」と、ウェスタン社メモリ技術担当エグゼクティブバイスプレジデントのシバ・シバラム博士は述べています。 デジタル。 「BiCS3 は、高アスペクト比の進歩とともに 3 ビット/セル技術の使用を特徴とします。 半導体プロセスにより、より高い容量、優れたパフォーマンス、および信頼性を同時に提供します。 魅力的なコスト。 BiCS2 と合わせて、当社の 3D NAND ポートフォリオは大幅に拡大し、小売、モバイル、データセンターにおけるあらゆる顧客アプリケーションに対応する能力が強化されました。」
Western Digitalは火曜日、BiCS3デバイスは今四半期にOEM向けにサンプル出荷を開始し、その後2016年第4四半期に小売市場向けに大量出荷される予定であると発表した。 古い BiCS2 デバイスについては、WD は引き続き OEM および小売業界の顧客に出荷していきます。
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