Samsung, che chiama la sua versione di memoria NAND impilata V-NAND (la V sta per verticale, ovviamente), ha annunciato il proprio chip da 256 Gbit, 48 strati, 3 bit per cella. Anche se diverse settimane fa l'azienda aveva annunciato un chip a 48 layer, la sua capacità era di “soli” 128 Gbit. Il nuovo chip porta la densità di archiviazione a un livello superiore.
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“La nuova memoria flash 3D V-NAND da 256 Gb di Samsung raddoppia la densità dei tradizionali chip flash NAND da 128 Gb. Oltre a consentire 32 gigabyte (256 gigabit) di memoria su un singolo die, il nuovo chip raddoppierà facilmente capacità delle linee SSD esistenti di Samsung e fornire una soluzione ideale per SSD multi-terabyte", ha affermato Samsung nella sua stampa pubblicazione.
L’aumento della densità dei dati ha un impatto semplice, ovvio e importante; consente la creazione di unità che memorizzano di più in meno spazio. Quando Samsung ha costruito il suo chip originale a 48 strati, ad esempio, ha fatto seguito al rilascio delle nuove unità Samsung 850 Evo e Pro da 2 TB.
Ora che Samsung ha fatto questo annuncio, è iniziata la corsa per raggiungere la produzione. SanDisk e Toshiba hanno affermato che non vedremo prodotti con il chip del partner fino al 2016, quindi ciò lascia un po' di tempo per portare sul mercato il nuovo hardware. Detto questo, Samsung non ha attualmente annunciato alcuna nuova unità né per il mercato consumer né per quello aziendale, quindi lo faremo Dobbiamo aspettare e vedere quale produttore sarà il primo a convertire questa tecnologia in un prodotto che gli utenti possano acquistare.
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