Secondo il Senior Fellow Mark Bohr, Intel prevede di superare la barriera dei 14 nm per arrivare ai 10 nm entro il 2016, e continuare a procedere dritti verso i 7 nm circa due anni dopo.
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Queste previsioni arrivano sulla scia di alcune passi falsi ben pubblicizzati che l'azienda ha intrapreso il suo percorso verso il limite dei 14 nm, "Penso che potremmo aver sottovalutato il tasso di apprendimento, quando si dispone di una tecnologia ciò aggiunge molte più maschere, come ha fatto 14[nm], ci vuole più tempo per eseguire esperimenti nella fabbrica e ottenere informazioni trasformate, come lo descriviamo”, ha detto Bohr.
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La sfida che l'azienda ha dovuto affrontare negli ultimi cicli di chip è stata quella di cercare di trovare un modo per spingere il mercato limiti teorici di ciò di cui è capace il silicio, senza passare a nuovi materiali come il grafene o silicene. Con le nuove tecniche applicate alla luce utilizzata per incidere i transistor nel silicio, Intel ritiene che i problemi riscontrati con i 14 nm Le build Broadwell sono state superate e le lezioni apprese si tradurranno in un tasso di produzione più fluido per le build da 10 e 7 nm nel futuro.
Bohr ha detto ai notiziari nella sua teleconferenza che il team di sviluppo di Intel per i 10 nm sta lavorando il 50% più velocemente rispetto a Broadwell, il che significa che dovrebbe essere sulla buona strada per raggiungere l'obiettivo dei 7 miglia nautiche senza ulteriori intoppi da qui in poi fuori.
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