Mentre Intel si vanta della sua prossima fase di processori a 10 nm all'orizzonte, i risultati di Cornell misurano solo 3 nm di diametro, saltando un enorme abisso nel mercato ultrasottile che potrebbe avere il potenziale per rivoluzionare l'ultrasottile di prossima generazione dispositivi.
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La svolta è tutta grazie a chip costruiti con dicalcogenuro di metallo di transizione, o TMD. Il TMD è un composto noto ai tecnici da anni, ma solo di recente è venuto alla ribalta quando le sue proprietà sono state meglio comprese.
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Secondo un articolo pubblicato su Nature che descrive in dettaglio il successo di Cornell con il materiale, i transistor TMD stanno attualmente stampando su wafer di silicio con un tasso di successo del 99 percento, che è appena sufficiente per dare all'industria la speranza di una piena fattibilità commerciale a breve futuro.
Ultimamente abbiamo riferito della lotta che gli ingegneri hanno affrontato, mentre affrontiamo quelli che potrebbero essere gli ultimi 10 anni della Legge di Moore. Poiché i confini della natura e della fisica ci impediscono di avere telefoni più piccoli, i produttori di chip e i ricercatori si sono dati da fare per trovare nuovi modi per rompere le leggi della termodinamica, utilizzando di tutto, dai TMD al grafene, per creare un chip più piccolo e veloce che non si surriscaldi così tanto che i componenti all'interno iniziano a friggere.
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Questi nuovi TMD potrebbero essere un grande passo nella giusta direzione, anche se per ora sono solo qualcosa che è stato preparato in laboratorio. Solo il tempo dirà se il processo sarà scalabile fino al tipo di produzione che Intel o AMD stanno cercando, ma incrociamo le dita.
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