सैमसंग, जो स्टैक्ड NAND मेमोरी के अपने संस्करण को V-NAND (V निश्चित रूप से वर्टिकल के लिए है) कहता है, ने अपनी 256 Gbit, 48-लेयर, 3-बिट-प्रति-सेल चिप की घोषणा की है। जबकि कंपनी ने कई सप्ताह पहले 48-लेयर चिप की घोषणा की थी, इसकी क्षमता "केवल" 128 Gbit थी। नई चिप भंडारण घनत्व को अगले स्तर पर ले जाती है।
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“सैमसंग का नया 256 जीबी 3डी वी-नंद फ्लैश पारंपरिक 128 जीबी नंद फ्लैश चिप्स के घनत्व को दोगुना कर देता है। एक ही डाई पर 32 गीगाबाइट (256 गीगाबिट) मेमोरी स्टोरेज को सक्षम करने के अलावा, नई चिप आसानी से इसे दोगुना भी कर देगी। सैमसंग की मौजूदा एसएसडी लाइन-अप की क्षमता, और मल्टी-टेराबाइट एसएसडी के लिए एक आदर्श समाधान प्रदान करती है, ”सैमसंग ने अपने प्रेस में कहा मुक्त करना।
बढ़ते डेटा घनत्व का एक सरल, स्पष्ट और महत्वपूर्ण प्रभाव होता है; यह कम जगह में अधिक भंडारण करने वाली ड्राइव बनाने की अनुमति देता है। उदाहरण के लिए, जब सैमसंग ने अपनी मूल 48-लेयर चिप बनाई, तो उसने नए 2TB सैमसंग 850 ईवो और प्रो ड्राइव जारी किए।
अब जब सैमसंग ने यह घोषणा कर दी है, तो उत्पादन अभियान तक पहुंचने के लिए दौड़ शुरू हो गई है। सैनडिस्क और तोशिबा ने कहा कि हम 2016 तक पार्टनर की चिप वाले उत्पाद नहीं देखेंगे, इसलिए बाजार में नए हार्डवेयर लाने में कुछ समय लगेगा। जैसा कि कहा गया है, सैमसंग ने वर्तमान में उपभोक्ता या उद्यम बाजार के लिए किसी भी नई ड्राइव की घोषणा नहीं की है, इसलिए हम करेंगे इंतजार करना होगा और देखना होगा कि कौन सा निर्माता इस तकनीक को ऐसे उत्पाद में बदलने वाला पहला व्यक्ति होगा जिसे उपयोगकर्ता खरीद सकते हैं।
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