BiCS3 वेस्टर्न डिजिटल और तोशिबा के बीच सहयोग का परिणाम है। यह 64 परतों वाली दुनिया की पहली 3D NAND तकनीक है, जो पिछली 48 परतों से अधिक है BiCS2 तकनीक, और 3-बिट-प्रति-सेल विशेषता वाली 256-गीगाबिट क्षमता वाले उपकरणों के रूप में जारी की जाएगी तकनीकी। WD के अनुसार, इससे एक चिप पर आधे टेराबिट तक की क्षमता सक्षम हो सकेगी।
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BiCS3 का पायलट उत्पादन योक्काइची, मी प्रीफेक्चर, जापान में स्थित नई फैब 2 सेमीकंडक्टर फैब्रिकेशन सुविधा में हो रहा है। WD और तोशिबा 15 जुलाई को इसके उद्घाटन की घोषणा की, यह बताते हुए कि सुविधा उनकी 2D NAND क्षमता को 3D फ़्लैश मेमोरी में परिवर्तित करने पर ध्यान केंद्रित करेगी। 3डी फ्लैश मेमोरी का प्रथम चरण का उत्पादन मार्च में शुरू हुआ, हालांकि यह सुविधा आंशिक रूप से पूरी हो चुकी थी।
यह सहयोग वास्तव में मई में डब्ल्यूडी द्वारा सैनडिस्क के अधिग्रहण से उत्पन्न हुआ था, जो पहले तोशिबा के साथ एक समझौता किया अगस्त 2015 में BiCS फ्लैश मेमोरी की दूसरी पीढ़ी बनाने के लिए। परिणामी डिवाइस में 256 जीबी (32 जीबी) क्षमता और 3-बिट-प्रति-सेल टीएलसी (ट्रिपल-लेवल सेल) तकनीक का उपयोग करके 48 परतें थीं। इस प्रकार, यह एसएसडी, टैबलेट, स्मार्टफोन और आंतरिक भंडारण की आवश्यकता वाले अन्य उपकरणों के लिए आदर्श था।
वास्तव में BiCS का मतलब है बिट लागत स्केलेबल. यह एक त्रि-आयामी मेमोरी तकनीक है जो गगनचुंबी इमारत की तरह मेमोरी कोशिकाओं की परतों को लंबवत रूप से ढेर कर देती है। सामान्य NAND की तुलना में उच्च घनत्व को सक्षम करना क्योंकि भंडारण क्षैतिज के बजाय लंबवत रूप से फैलता है, जिससे बचत होती है अंतरिक्ष। BiCS पर आधारित पहले फ्लैश-आधारित डिवाइस में दो-बिट-प्रति-सेल संरचना और 128 जीबी (16 जीबी) क्षमता थी।
मौजूदा "फ्लैट" फ्लोटिंग गेट-आधारित NAND तकनीक के साथ स्केलिंग सीमा अधिकतम हो जाने के बाद 2007 में तोशिबा द्वारा BiCS को मेमोरी में अगले चरण के रूप में पेश किया गया था। एक व्याख्यान के अनुसार तोशिबा के अकिहिरो नितायमा द्वारा, BiCS के साथ, नक़्क़ाशी और बहुपरत निर्माण प्रौद्योगिकियों का उपयोग करके मेमोरी कोशिकाओं की कई परतें एक साथ बनाई जा सकती हैं। उन्होंने यह भी कहा कि BiCS तकनीक के पांच पीढ़ियों तक बने रहने की उम्मीद है। WD की इस नवीनतम घोषणा के आधार पर अब हम तीसरी पीढ़ी में हैं।
“हमारे उद्योग-अग्रणी 64-लेयर आर्किटेक्चर पर आधारित अगली पीढ़ी की 3D NAND तकनीक का लॉन्च हमारे को मजबूत करता है नंद फ्लैश प्रौद्योगिकी में नेतृत्व, ”डॉ. शिव शिवराम, कार्यकारी उपाध्यक्ष, मेमोरी टेक्नोलॉजी, वेस्टर्न ने कहा डिजिटल. BiCS3 में उच्च पहलू अनुपात में प्रगति के साथ-साथ 3-बिट्स-प्रति-सेल तकनीक का उपयोग किया जाएगा उच्च क्षमता, बेहतर प्रदर्शन और विश्वसनीयता प्रदान करने के लिए सेमीकंडक्टर प्रसंस्करण आकर्षक लागत. BiCS2 के साथ, हमारा 3D NAND पोर्टफोलियो काफी व्यापक हो गया है, जिससे खुदरा, मोबाइल और डेटा सेंटर में ग्राहक अनुप्रयोगों के पूर्ण स्पेक्ट्रम को संबोधित करने की हमारी क्षमता बढ़ गई है।
वेस्टर्न डिजिटल ने मंगलवार को कहा कि इस तिमाही में BiCS3 उपकरणों का OEM के लिए नमूना लिया जाना शुरू हो जाएगा, इसके बाद 2016 की चौथी तिमाही में खुदरा बाजार के लिए बड़े पैमाने पर शिपमेंट किया जाएगा। जहां तक पुराने BiCS2 उपकरणों की बात है, WD उन्हें OEM के साथ-साथ खुदरा क्षेत्र के ग्राहकों को भेजना जारी रखेगा।
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