तोशिबा ने आगामी सॉलिड स्टेट ड्राइव में अपने 64GB BiCS फ्लैश स्टोरेज चिप्स का प्रदर्शन किया

अधिक विशेष रूप से, तोशिबा ने 64 परतों से बनी तीसरी पीढ़ी की BiCS फ्लैश मेमोरी तकनीक का प्रदर्शन किया। पारंपरिक "2D" फ़्लैश NAND मेमोरी जो SSDs, USB ड्राइव और इसी तरह की अन्य चीज़ों में पाई जाती है, शहर के ब्लॉक पर इमारतों की तरह क्षैतिज रूप से सेल जोड़कर भंडारण क्षमता बढ़ाती है। अंततः, भंडारण उपकरण की क्षमता भौतिक सीमाओं से बंधी होती है।

तोशिबा की "3डी" मेमोरी एक गगनचुंबी इमारत की तरह लंबवत रूप से निर्मित होती है, जो कार्यालय जैसी भंडारण कोशिकाओं की 64 "मंजिलें" प्रदान करती है। बदले में, प्रत्येक सेल तीन बिट डेटा संग्रहीत कर सकता है, इस प्रकार एक एकल चिप 512 गीगाबिट (जीबी) जानकारी रख सकती है, जो 64 गीगाबाइट (जीबी) में तब्दील हो जाती है। एक एसएसडी में कई चिप्स डालें, और उस ड्राइव में अत्यधिक भंडारण क्षमता होती है।

"एसएसडी का भविष्य 3डी है," ग्रेग वोंग ने कहा, फॉरवर्ड इनसाइट्स के संस्थापक और प्रमुख विश्लेषक। "3डी फ्लैश मेमोरी उपभोक्ता और उद्यम क्षेत्रों में विभिन्न आवश्यकताओं को बेहतर ढंग से पूरा करने के लिए उच्च क्षमता और अधिक लागत प्रभावी एसएसडी के उत्पादन को सक्षम बनाती है।"

स्टैक्ड फ़्लैश मेमोरी कोई नई बात नहीं है, लेकिन यह अधिक मुख्यधारा बनती जा रही है। फ्लैश मेमोरी निर्माता आमतौर पर अपनी 3D NAND तकनीक पर विशेष नाम रखते हैं, जैसे Intel का 3D XPoint ब्रांड, Samsung का V-NAND ब्रांड और तोशिबा का BiCS ब्रांड, जो बिट कॉस्ट स्केलिंग का संक्षिप्त रूप है।

अंततः, तीनों अलग-अलग तकनीकों का उपयोग करते हुए भंडारण क्षमता को लंबवत रूप से बढ़ाने का एक ही उद्देश्य प्राप्त करते हैं। जिस तरह से डेटा को प्रत्येक स्टोरेज सेल में डाला जाता है, उसके कारण तोशिबा उच्च गति का वादा करता है। यह पड़ोसी कोशिकाओं के हस्तक्षेप को रोकने के लिए प्रत्येक कोशिका को अलग-अलग फैलाने के तरीके के आधार पर उच्च विश्वसनीयता का भी वादा करता है।

BiCS का एक अन्य लाभ बिजली में कमी है। क्योंकि स्टोरेज सेल बेहद तेज़ "सिंगल-शॉट" प्रोग्रामिंग अनुक्रम का समर्थन करते हैं, समग्र चिप कम बिजली की खपत करती है। और मानक हार्ड ड्राइव सामान्य रूप से अधिक बिजली की खपत करते हैं क्योंकि उनमें डेटा को पढ़ने और लिखने के लिए घूमने वाली चुंबकीय भंडारण डिस्क और डिस्क रीडर शामिल होते हैं। निःसंदेह, फ्लैश स्टोरेज में कोई गतिशील भाग नहीं होता है।

डेल के सम्मेलन के दौरान प्रदर्शित 64-लेयर BiCS फ्लैश चिप एक नई तोशिबा XG सीरीज SSD में मौजूद थी। यह ड्राइव का पहला सार्वजनिक प्रदर्शन था, जो इस नवीनतम BiCS तकनीक के लिए लॉन्च पैड होगा। ड्राइव एक आंतरिक NVMe PCI एक्सप्रेस इंटरफ़ेस के माध्यम से अपने होस्ट लैपटॉप से ​​​​जुड़ा है, जिसमें 64GB और 32GB चिप्स का उपयोग करके लगभग 1TB स्टोरेज पैक किया गया है।

"उत्पाद के व्यापक रूप से अपनाने के कारण, नई XG सीरीज SSD 64-लेयर फ्लैश मेमोरी लॉन्च करने के लिए एक आदर्श मंच है।" कंपनी ने कहा, परिपक्वता और मजबूती पीसीआईई/एनवीएमई क्लाइंट एसएसडी उत्पाद रिलीज की कई पीढ़ियों के दौरान विकसित हुई है।

XG सीरीज SSDs के बाजार में आने के बाद तोशिबा की योजना सभी क्लाइंट, डेटा सेंटर और एंटरप्राइज SSDs को नई 64-लेयर BiCS फ्लैश मेमोरी में स्थानांतरित करने की है। अभी के लिए, तोशिबा उपकरण निर्माताओं को चिप का नमूना दे रही है।

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