Samsung, qui appelle sa version de mémoire NAND empilée V-NAND (le V signifie vertical, bien sûr), a annoncé sa propre puce de 256 Gbits, 48 couches, 3 bits par cellule. Alors que la société a annoncé il y a quelques semaines une puce à 48 couches, sa capacité n’était « que » de 128 Gbit. La nouvelle puce fait passer la densité de stockage à un niveau supérieur.
Vidéos recommandées
« Le nouveau flash V-NAND 3D de 256 Go de Samsung double la densité des puces flash NAND conventionnelles de 128 Go. En plus de permettre 32 gigaoctets (256 gigabits) de stockage mémoire sur une seule puce, la nouvelle puce permettra également de doubler facilement la capacité des gammes SSD existantes de Samsung et constituent une solution idéale pour les SSD de plusieurs téraoctets », a déclaré Samsung dans sa presse. libérer.
L’augmentation de la densité des données a un impact simple, évident et important: il permet la création de disques qui stockent plus dans moins d'espace. Lorsque Samsung a construit sa puce originale à 48 couches, par exemple, il a suivi avec la sortie de nouveaux disques Samsung 850 Evo et Pro de 2 To.
Maintenant que Samsung a fait cette annonce, la course est lancée pour atteindre la production. SanDisk et Toshiba ont déclaré que nous ne verrions pas de produits dotés de la puce du partenaire avant 2016, ce qui laisse du temps pour commercialiser du nouveau matériel. Cela dit, Samsung n’a pas encore annoncé de nouveaux disques pour le marché grand public ou professionnel. il faudra attendre de voir quel fabricant sera le premier à convertir cette technologie en un produit que les utilisateurs pourront acheter.
Recommandations des rédacteurs
- Le SmartSSD de 2e génération de Samsung peut traiter les données directement sur le disque
Améliorez votre style de vieDigital Trends aide les lecteurs à garder un œil sur le monde en évolution rapide de la technologie avec toutes les dernières nouvelles, des critiques de produits amusantes, des éditoriaux perspicaces et des aperçus uniques.
