Alors qu'Intel se vante de sa prochaine étape de processeurs 10 nm à l'horizon, les découvertes de Cornell ne mesurent que 3 nm de diamètre, sauter un énorme gouffre sur le marché ultra-mince qui pourrait avoir le potentiel de révolutionner l'ultra-mince de nouvelle génération dispositifs.
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La percée est entièrement due aux puces construites avec du dichalcogénure de métal de transition, ou TMD. Le TMD est un composé connu des techniciens depuis des années, mais ce n'est que récemment que ses propriétés ont été mieux comprises.
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Selon un article publié dans Nature détaillant le succès de Cornell avec le matériau, les transistors TMD impriment actuellement sur tranches de silicium à un taux de réussite de 99 %, ce qui est juste suffisant pour donner à l'industrie l'espoir d'une pleine viabilité commerciale dans un proche avenir avenir.
Nous avons récemment rendu compte de la lutte que les ingénieurs ont dû affronter, alors que nous sommes confrontés à ce qui pourrait être les 10 dernières années de la loi de Moore. Alors que les limites de la nature et de la physique nous empêchent d'avoir des téléphones plus petits, les fabricants de puces et les chercheurs se sont efforcés de trouver de nouvelles façons de briser les lois de la thermodynamique, en utilisant tout, des TMD au graphène, pour créer une puce plus petite et plus rapide qui ne chauffe pas au point que les composants à l'intérieur commencent à frire.
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Ces nouveaux TMD pourraient être un grand pas dans la bonne direction, même si pour l'instant ils ne sont que quelque chose qui a été concocté dans un laboratoire. Seul le temps nous dira si le processus sera évolutif jusqu'au type de production recherché par Intel ou AMD, mais nous croisons les doigts.
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