Samsung, kes nimetab oma virnastatud NAND-mälu versiooni V-NAND-iks (loomulikult on V mõeldud vertikaalseks jaoks), on välja kuulutanud oma 256 Gbit, 48-kihilise 3-bitise raku kiibi. Kui ettevõte teatas 48-kihilisest kiibist mitu nädalat tagasi, oli selle võimsus "ainult" 128 Gbit. Uus kiip viib salvestustiheduse järgmisele tasemele.
Soovitatavad videod
„Samsungi uus 256 Gb 3D V-NAND välklamp kahekordistab tavaliste 128 Gb NAND-välklampide tiheduse. Lisaks sellele, et uus kiip võimaldab 32 gigabaiti (256 gigabitti) mälumahtu ühel stantsil, kahekordistab see lihtsalt Samsungi olemasolevate SSD-sarjade võimsust ja pakkuda ideaalset lahendust mitme terabaidiste SSD-de jaoks,“ ütles Samsung oma ajakirjanduses. vabastada.
Andmete tiheduse suurendamisel on lihtne, ilmne ja oluline mõju; see võimaldab luua draive, mis salvestavad vähem ruumi. Näiteks kui Samsung ehitas oma algse 48-kihilise kiibi, järgnes sellele uute 2TB Samsung 850 Evo ja Pro draivide väljaandmine.
Nüüd, kui Samsung on selle teadaande teinud, käib võidujooks selle nimel, et see jõuaks tootmisseadmeteni. SanDisk ja Toshiba ütlesid, et me ei näe partneri kiibiga tooteid enne 2016. aastat, seega jääb natuke aega uue riistvara turule toomiseks. Sellegipoolest ei ole Samsung praegu teatanud uutest draividest ei tarbija- ega ettevõtete turule, seega teeme seda tuleb oodata ja näha, milline tootja muudab selle tehnoloogia esimesena tooteks, mida kasutajad saavad osta.
Toimetajate soovitused
- Samsungi 2. põlvkonna SmartSSD suudab töödelda andmeid otse draivil
Uuenda oma elustiiliDigitaalsed suundumused aitavad lugejatel hoida silma peal kiirel tehnikamaailmal kõigi viimaste uudiste, lõbusate tooteülevaadete, sisukate juhtkirjade ja ainulaadsete lühiülevaadetega.
