El procesador está construido sobre un proceso FinFET de 10 nanómetros. En términos sencillos, eso básicamente significa que es más compacto que el actual Snapdragon 821 de primera línea, que está construido con tecnología de 14 nm. Qualcomm dijo que la nueva arquitectura incluye un 30 por ciento más de piezas en el mismo espacio y ocupa un espacio significativamente menor, mejoras que, según afirma, permitirán una arquitectura más delgada.teléfono inteligente] diseños” y “baterías más grandes”. Esas y otras mejoras ayudan a ofrecer un rendimiento un 27 por ciento mejor, una reducción del 40 por ciento en el consumo de energía y ganancias "significativas" en la duración de la batería.
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El otro gran avance del procesador implica la carga rápida de la batería. Actualmente, el estándar Quick Charge 3.0 de Qualcomm alcanza un máximo del 80 por ciento de su capacidad después de 15 minutos de carga, pero el La próxima versión, Quick Charge 4.0, presenta una mejora del 20 por ciento en velocidad y una mejora del 30 por ciento en energía. eficiencia. Eso se traduce en hasta cinco horas de duración adicional de la batería en sólo cinco minutos de carga, o el 50 por ciento de la capacidad de una batería en 15 minutos.
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Qualcomm dijo que la tecnología de carga rápida es totalmente compatible con USB Type-C y USB Power Delivery. especificaciones ratificadas por el USB-Implementers Forum, el organismo de la industria que estandariza USB tecnologías. Las implementaciones anteriores de la tecnología de Qualcomm, incluidas algunas incluidas en el Snapdragon 821, entran en conflicto de especificaciones manipulando el voltaje para reducir los tiempos de recarga y empleando soluciones alternativas para configurar la carga velocidad. Qualcomm dijo que Quick Charge 4.0, por el contrario, es totalmente compatible.
También está en línea con el documento de compatibilidad de Google para el futuro. Androide dispositivos, cuyo borrador la compañía publicó esta semana. En él, el gigante de las búsquedas pedía dispositivos USB tipo C que "admitieran la interoperabilidad total con cargadores tipo C estándar", un requisito que los chips Snapdragon anteriores de Qualcomm no cumplían.
El nuevo procesador también incluye una gran cantidad de protecciones contra el tipo de acumulación de calor catastrófica que exhibe el Galaxy Note 7 de Samsung. Uno, la última generación del software INOV (Negociación inteligente para voltaje óptimo) de la empresa, monitores transferencia de energía en tiempo real para garantizar que no exceda las temperaturas de funcionamiento seguras. Cuatro niveles de protección térmica (algunos en el chasis, otros en la batería y varios dentro del propio chip) detectan el tipo y la calidad de los cables de carga conectados. Las nuevas características extienden la longevidad de la batería: Qualcomm dijo que mantendrá al menos el 80 por ciento de su capacidad original después de 500 ciclos de carga.
La compañía se está asociando con el gigante de la electrónica Samsung para construir los procesadores, que espera comenzar a distribuirse en la primera mitad de 2017. “Nos complace tener la oportunidad de trabajar estrechamente con Qualcomm Technologies en la producción del Snapdragon 835 utilizando nuestro Tecnología FinFET de 10 nm”, dijo en una conferencia de prensa Jong Shik Yoon, vicepresidente ejecutivo de Samsung y director de su negocio de fundición. liberar. "Esta colaboración es un hito importante para nuestro negocio de fundición, ya que significa confianza en la tecnología líder de procesamiento de chips de Samsung".
Puede esperar que comience a aparecer en nuevos teléfonos inteligentes en los próximos meses.
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