Η Samsung, η οποία ονομάζει την έκδοση της στοιβαγμένης μνήμης NAND V-NAND (το V είναι για κάθετη, φυσικά), ανακοίνωσε το δικό της τσιπ 256 Gbit, 48 επιπέδων, 3 bit ανά κυψέλη. Ενώ η εταιρεία ανακοίνωσε ένα τσιπ 48 επιπέδων πριν από αρκετές εβδομάδες, η χωρητικότητά του ήταν «μόνο» 128 Gbit. Το νέο τσιπ ανεβάζει την πυκνότητα αποθήκευσης στο επόμενο επίπεδο.
Προτεινόμενα βίντεο
«Το νέο φλας 256 Gb 3D V-NAND της Samsung διπλασιάζει την πυκνότητα των συμβατικών τσιπ φλας NAND 128 Gb. Εκτός από την ενεργοποίηση 32 gigabyte (256 gigabit) αποθήκευσης μνήμης σε ένα μόνο καλούπι, το νέο τσιπ θα διπλασιάσει επίσης εύκολα χωρητικότητα των υφιστάμενων σειρών SSD της Samsung και παρέχουν μια ιδανική λύση για SSD πολλών terabyte», δήλωσε η Samsung στον Τύπο της ελευθέρωση.
Η αύξηση της πυκνότητας δεδομένων έχει απλό, προφανές και σημαντικό αντίκτυπο. επιτρέπει τη δημιουργία μονάδων δίσκου που αποθηκεύουν περισσότερα σε λιγότερο χώρο. Όταν η Samsung κατασκεύασε το αρχικό της τσιπ 48 επιπέδων, για παράδειγμα, ακολούθησε την κυκλοφορία νέων μονάδων δίσκου Samsung 850 Evo και Pro 2 TB.
Τώρα που η Samsung έκανε αυτή την ανακοίνωση, ο αγώνας είναι σε εξέλιξη για να φτάσει σε μονάδες παραγωγής. Η SanDisk και η Toshiba είπαν ότι δεν θα δούμε προϊόντα με το τσιπ του συνεργάτη μέχρι το 2016, οπότε αφήνει λίγο χρόνο για να φέρουμε νέο υλικό στην αγορά. Τούτου λεχθέντος, η Samsung δεν έχει ανακοινώσει επί του παρόντος καμία νέα μονάδα δίσκου είτε για την καταναλωτική είτε για την αγορά επιχειρήσεων, οπότε θα το κάνουμε πρέπει να περιμένουμε και να δούμε ποιος κατασκευαστής θα είναι ο πρώτος που θα μετατρέψει αυτήν την τεχνολογία σε προϊόν που μπορούν να αγοράσουν οι χρήστες.
Συστάσεις των συντακτών
- Το SmartSSD 2ης γενιάς της Samsung μπορεί να επεξεργάζεται δεδομένα απευθείας στη μονάδα δίσκου
Αναβαθμίστε τον τρόπο ζωής σαςΤο Digital Trends βοηθά τους αναγνώστες να παρακολουθούν τον γρήγορο κόσμο της τεχνολογίας με όλα τα τελευταία νέα, διασκεδαστικές κριτικές προϊόντων, διορατικά editorial και μοναδικές κρυφές ματιές.
