Während Intel damit prahlt, dass die nächste Stufe der 10-nm-Prozessoren am Horizont steht, messen Cornells Erkenntnisse nur einen Durchmesser von 3 nm. Damit wird eine große Kluft im ultradünnen Markt überwunden, die das Potenzial haben könnte, die nächste Generation ultradünner Geräte zu revolutionieren Geräte.
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Der Durchbruch ist Chips zu verdanken, die mit Übergangsmetalldichalkogenid (TMD) hergestellt wurden. TMD ist eine Verbindung, die den Technikern seit Jahren bekannt ist, aber erst kürzlich ins Rampenlicht gerückt ist, da ihre Eigenschaften besser verstanden wurden.
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Laut einem in Nature veröffentlichten Artikel, in dem Cornells Erfolg mit dem Material beschrieben wird, werden derzeit TMD-Transistoren gedruckt Siliziumwafer mit einer Erfolgsquote von 99 Prozent herzustellen, was gerade ausreicht, um der Industrie Hoffnung auf eine baldige volle kommerzielle Rentabilität zu geben Zukunft.
Wir haben in letzter Zeit über den Kampf berichtet, mit dem Ingenieure zu kämpfen haben, während wir vor den möglicherweise letzten zehn Jahren des Mooreschen Gesetzes stehen. Da die Grenzen der Natur und der Physik uns daran hindern, kleinere Telefone zu entwickeln, haben Chiphersteller und Forscher gleichermaßen nach neuen Wegen gesucht, diese zu zerstören Die Gesetze der Thermodynamik nutzen alles von TMDs bis Graphen, um einen kleineren, schnelleren Chip herzustellen, der nicht so heiß wird, dass die Komponenten im Inneren anfangen, es zu erhitzen braten.
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Diese neuen TMDs könnten ein großer Schritt in die richtige Richtung sein, auch wenn sie derzeit nur etwas sind, das in einem Labor erfunden wurde. Nur die Zeit wird zeigen, ob der Prozess auf die von Intel oder AMD gewünschte Produktionsart skalierbar sein wird, aber wir drücken die Daumen.
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