Qualcomm annoncerer Snapdragon 835 og Quick Charge 4

Processoren er bygget på 10 nanometer FinFET-proces. På almindeligt engelsk betyder det dybest set, at den er mere kompakt end den nuværende top-of-the-line Snapdragon 821, som er bygget på 14nm-teknologi. Qualcomm sagde, at den nye arkitektur pakker 30 procent flere dele ind i det samme rum og har et betydeligt mindre fodaftryk, forbedringer, som det hævder vil give mulighed for "slankere [smartphone] designs" og "større batterier." Disse og andre forbedringer hjælper med at levere 27 procent bedre ydeevne, en 40 procent reduktion i strømforbruget og "betydelige" gevinster i batterilevetid.

Processorens anden store fremgang involverer hurtig batteriopladning. I øjeblikket topper Qualcomms Quick Charge 3.0-standard med 80 procent kapacitet efter 15 minutters opladning, men næste iteration, Quick Charge 4.0, har en 20 procent forbedring i hastighed og en 30 procent forbedring i energi effektivitet. Det svarer til op til fem timers ekstra batterilevetid på kun fem minutters opladning eller 50 procent af et batteris kapacitet på 15 minutter.

Qualcomm sagde, at hurtigopladningsteknologien er fuldt kompatibel med både USB Type-C og USB Power levering specifikationer ratificeret af USB-Implementers Forum, det brancheorgan, der standardiserer USB teknologier. Tidligere implementeringer af Qualcomms teknologi, inklusive nogle få pakket ind i Snapdragon 821, løber galt af spec ved at manipulere spændingen for at reducere genopladningstider og anvende løsninger til at indstille opladning fart. Qualcomm sagde, at Quick Charge 4.0 derimod er fuldt kompatibel.

Det er også i overensstemmelse med Googles kompatibilitetsdokument for fremtiden Android enheder, et udkast, som virksomheden offentliggjorde i denne uge. I den efterlyste søgegiganten USB Type-C-enheder, der "understøtter fuld interoperabilitet med standard Type-C-opladere" - et krav, som Qualcomms tidligere Snapdragon-chips ikke opfyldte.

Den nye processor indeholder også et væld af beskyttelse mod den slags katastrofale varmeopbygning, som Samsungs Galaxy Note 7 udviser. Den ene, den seneste generation af virksomhedens INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage) software, skærme strømoverførsel i realtid for at sikre, at den ikke overstiger sikre driftstemperaturer. Fire niveauer af termisk beskyttelse - nogle ved chassiset, andre ved batteriet og flere inde i selve chippen - fornemmer typen og kvaliteten af ​​tilsluttede ladekabler. Nye funktioner forlænger batteriets levetid - Qualcomm sagde, at det vil bevare mindst 80 procent af sin oprindelige kapacitet efter 500 opladningscyklusser.

Virksomheden slår sig sammen med elektronik-behemoth Samsung for at bygge processorerne, som det forventer vil begynde at sende i første halvdel af 2017. "Vi er glade for at have muligheden for at arbejde tæt sammen med Qualcomm Technologies om at producere Snapdragon 835 ved hjælp af vores 10nm FinFET-teknologi," sagde Jong Shik Yoon, Samsungs executive vice president og leder af dets støberiforretning, i en pressemeddelelse frigøre. "Dette samarbejde er en vigtig milepæl for vores støberiforretning, da det betyder tillid til Samsungs førende chipprocesteknologi."

Du kan forvente, at den begynder at blive vist på nye smartphones i de kommende måneder.

Redaktørens anbefalinger

• Qualcomms Snapdragon 4 Gen 2 bringer hurtigere 5G til budgettelefoner
• Qualcomms Snapdragon 6 og 4 Gen 1 chips er store tilbud for billige telefoner
• Qualcomms Snapdragon X70-modem skubber 5G til nye højder
• Qualcomm dropper sit eget navn fra nye chips til fordel for 'Snapdragon' alene
• Dimension 9000 vs. Snapdragon 888: Hvordan det nye MediaTek-flagskib truer Qualcomm

Opgrader din livsstilDigital Trends hjælper læserne med at holde styr på den hurtige teknologiske verden med alle de seneste nyheder, sjove produktanmeldelser, indsigtsfulde redaktionelle artikler og enestående smugkig.