Procesor je postaven na 10nanometrovém FinFET procesu. V jednoduché angličtině to v podstatě znamená, že je kompaktnější než současný špičkový Snapdragon 821, který je postaven na 14nm technologii. Qualcomm uvedl, že nová architektura obsahuje o 30 procent více částí do stejného prostoru a má výrazně menší půdorys, vylepšení, o kterých tvrdí, že umožní „štíhlejší [chytrý telefon] designy“ a „větší baterie“. Tato a další vylepšení pomáhají poskytovat o 27 procent lepší výkon, 40 procent snížení spotřeby energie a „výrazné“ zvýšení životnosti baterie.
Doporučená videa
Dalším velkým pokrokem procesoru je rychlé nabíjení baterie. V současné době má standard Qualcomm Quick Charge 3.0 po 15 minutách nabíjení maximální kapacitu 80 procent, ale další iterace, Quick Charge 4.0, nabízí 20% zlepšení rychlosti a 30% zlepšení energie účinnost. To znamená až pět hodin delší výdrže baterie za pouhých pět minut nabíjení nebo 50 procent kapacity baterie za 15 minut.
Příbuzný
- Nový Snapdragon 7+ Gen 2 od Qualcommu je velkou zprávou pro levné telefony
- Qualcomm uvádí na trh nové čipy Snapdragon 20. května
- Qualcomm přebírá Apple M1 s novým Snapdragonem 8cx Gen 3 pro PC
Qualcomm uvedl, že technologie rychlého nabíjení je plně kompatibilní s USB Type-C a USB Power specifikace ratifikované USB-Implementers Forum, průmyslovým orgánem, který standardizuje USB technologií. Předchozí implementace technologie Qualcomm, včetně několika zakomponovaných do Snapdragonu 821, se dostaly do konfliktu specifikací manipulací s napětím, aby se zkrátily doby nabíjení, a používáním řešení pro nastavení nabíjení Rychlost. Qualcomm uvedl, že Quick Charge 4.0 je naopak plně kompatibilní.
Je to také v souladu s dokumentem o kompatibilitě společnosti Google pro budoucnost Android zařízení, jehož návrh společnost zveřejnila tento týden. V něm vyhledávací gigant požadoval zařízení USB Type-C, která „podporují plnou interoperabilitu se standardními nabíječkami Type-C“ – což je požadavek, který předchozí čipy Snapdragon od Qualcommu nesplňovaly.
Nový procesor také obsahuje bohatou ochranu proti katastrofickému nahromadění tepla, které vykazuje Samsung Galaxy Note 7. Jedna, nejnovější generace firemního softwaru INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage), monitory přenos energie v reálném čase, aby bylo zajištěno, že nepřekročí bezpečné provozní teploty. Čtyři úrovně tepelné ochrany – některé na šasi, jiné na baterii a několik uvnitř samotného čipu – snímají typ a kvalitu připojených nabíjecích kabelů. Nové funkce prodlužují životnost baterie – Qualcomm uvedl, že si zachová nejméně 80 procent své původní kapacity po 500 nabíjecích cyklech.
Společnost se spojila s elektronickým gigantem Samsung, aby vytvořili procesory, které se podle očekávání začnou dodávat v první polovině roku 2017. „Jsme rádi, že máme příležitost úzce spolupracovat s Qualcomm Technologies při výrobě Snapdragonu 835 pomocí našich 10nm technologie FinFET,“ uvedl v tisku Jong Shik Yoon, výkonný viceprezident společnosti Samsung a vedoucí její slévárenské činnosti. uvolnění. "Tato spolupráce je důležitým milníkem pro naši slévárenskou činnost, protože znamená důvěru v přední technologii zpracování čipů společnosti Samsung."
Můžete očekávat, že se v nadcházejících měsících začne objevovat v nových smartphonech.
Doporučení redakce
- Snapdragon 4 Gen 2 od Qualcommu přináší rychlejší 5G do levných telefonů
- Čipy Snapdragon 6 a 4 Gen 1 od Qualcommu jsou velké nabídky pro levné telefony
- Modem Snapdragon X70 od Qualcommu posouvá 5G do nových výšin
- Qualcomm upouští od svého vlastního jména z nových čipů ve prospěch samotného „Snapdragonu“.
- Rozměr 9000 vs. Snapdragon 888: Jak nová vlajková loď MediaTek ohrožuje Qualcomm
Upgradujte svůj životní stylDigitální trendy pomáhají čtenářům mít přehled o rychle se měnícím světě technologií se všemi nejnovějšími zprávami, zábavnými recenzemi produktů, zasvěcenými úvodníky a jedinečnými náhledy.
