Samsung, който нарича своята версия на подредена NAND памет V-NAND (V е за вертикална, разбира се), обяви свой собствен 256 Gbit, 48-слоен, 3-bit-per-cell чип. Докато компанията обяви 48-слоен чип преди няколко седмици, неговият капацитет беше „само“ 128 Gbit. Новият чип издига плътността на съхранение на следващото ниво.
Препоръчани видеоклипове
„Новата 256 Gb 3D V-NAND флаш на Samsung удвоява плътността на конвенционалните 128 Gb NAND флаш чипове. Освен че позволява 32 гигабайта (256 гигабита) памет за съхранение на един матрица, новият чип също лесно ще удвои капацитет на съществуващите SSD линии на Samsung и осигуряват идеално решение за многотерабайтови SSD”, каза Samsung в своята преса освобождаване.
Увеличаването на плътността на данните има просто, очевидно и важно въздействие; позволява създаването на дискове, които съхраняват повече на по-малко пространство. Когато Samsung създаде своя оригинален 48-слоен чип, например, той последва с пускането на нови 2TB Samsung 850 Evo и Pro устройства.
Сега, след като Samsung направи това съобщение, надпреварата е за достигане на производствени устройства. SanDisk и Toshiba казаха, че няма да видим продукти с чипа на партньора до 2016 г., така че остава известно време за пускане на нов хардуер на пазара. Въпреки това, Samsung в момента не е обявил нови устройства нито за потребителския, нито за корпоративния пазар, така че ще го направим трябва да изчакаме и да видим кой производител ще бъде първият, който ще превърне тази технология в продукт, който потребителите могат да купят.
Препоръки на редакторите
- Второто поколение SmartSSD на Samsung може да обработва данни направо на устройството
Надградете начина си на животDigital Trends помага на читателите да следят забързания свят на технологиите с всички най-нови новини, забавни ревюта на продукти, проницателни редакционни статии и единствени по рода си кратки погледи.
